[发明专利]一种氮化物晶体的生长装置及方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体晶体材料生长装置和方法，具体地说是一种氮化物晶体的生长装置及方法。

背景技术

近年来，采用氮化镓（GaN）等氮化物半导体材料制造蓝色LED或白色LED、半导体激光器等半导体器件，并将该半导体器件用于各种电子设备的研究正在活跃地进行。作为GaN单晶材料生长方法之一的钠流法（Na flux method），凭借其适中的生长条件（700—1000℃，5MPa）、较低的位错密度（～10⁴ cm^-2）和较大的晶体尺寸（4 inch），成为制备高质量GaN单晶体材料的优选技术。钠流法中晶体生长的质量和速率直接与籽晶处附近Ga-Na溶液的N浓度相关。中国专利CN 1922345A提出采用摇摆的方式搅拌Ga-Na溶液，增加籽晶处溶液中N浓度，从而提高晶体生长速率。但该发明存在高N浓度溶液不能定向地向籽晶附近流动的缺陷；且摇摆时晶体生长溶液和籽晶随反应釜移动过于剧烈，不利于晶体生长的动态平衡。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种氮化物晶体的生长装置及方法，通过对反应釜的倾斜、还原等操作，使目标氮化物晶体在源源不断的较高N浓度的生长溶液下高质量高速率生长。

为此，本发明一方面提供一种氮化物晶体的生长装置，包括反应釜和设在该反应釜内的坩埚，反应釜外围设有加热器，所述坩埚内设有隔板，该隔板将该坩埚内部空间分隔成相互独立的生长区和预生长区，生长区底部放置有籽晶，隔板下部设有导通孔，该导通孔使生长区和预生长区相互连通。

所述隔板与坩埚底面的夹角为大于0度且小于或等于90度。

所述隔板的顶端表面为但不限于平面、规则曲面或凹凸面。

所述隔板上设置的导通孔的端口直径为0.01mm～12mm。

所述导通孔至少设置一个。该导通孔的面向生长区的端口直径与面向预生长区的端口直径相等或者相异。

本发明装置通过在坩埚内设置一隔板形成相互独立的生长区和预生长区，在隔板下部设置导通孔使生长区和预生长区相互连通，便于生长区和预生长区的生长溶液的流动交换，实现籽晶区域附近的生长溶液的含N浓度始终保持在较高水平，使得目标氮化物晶体在源源不断的高N浓度生长溶液下高质量高速率生长。

本发明还提供一种氮化物晶体的生长方法，包括以下步骤：

步骤1，坩埚内放置原材料，往反应釜内通入氮气，生长区底面放置籽晶，对反应釜进行加热升温和加压，生长区气液界面的生长溶液含N浓度高于该生长区下部的生长溶液含N浓度，预生长区气液界面的生长溶液含N浓度高于该预生长区下部的生长溶液含N浓度；

步骤2，摇动反应釜，使反应釜沿生长区方向倾斜，达到预定的倾斜角度后使该反应釜在预设的时间内保持不动，预生长区的生长溶液越过隔板顶端面流到生长区中并覆盖该生长区气液界面的表面，预生长区流到生长区的生长溶液溶解反应釜内的气体中的N，从而提高生长区气液界面的生长溶液的含N浓度；

步骤3，将倾斜的反应釜还原至初始位置，位于生长区下部的籽晶区域的生长溶液经隔板的导通孔流入到预生长区，生长区上部的生长溶液向下沉降至籽晶区域；

重复步骤2和步骤3，直到氮化物晶体生长完成，对反应釜降温降压排除废液并取出晶体。

本发明进一步提供另外一种氮化物晶体的生长方法，包括以下步骤：

步骤1，坩埚内放置原材料，往反应釜内通入氮气，生长区底面放置籽晶，对反应釜进行加热升温和加压，生长区气液界面的生长溶液含N浓度高于该生长区下部的生长溶液含N浓度，预生长区气液界面的生长溶液含N浓度高于该预生长区下部的生长溶液含N浓度；

步骤2，摇动反应釜，使反应釜沿预生长区方向倾斜，达到预定的倾斜角度后使该反应釜在预设的时间内保持不动，生长区的生长溶液越过隔板顶端面流到预生长区中并覆盖该预生长区气液界面的表面，生长区流到预生长区的生长溶液溶解反应釜内的气体中的N，从而提高预生长区气液界面的生长溶液的含N浓度，预生长区原来的上部的生长溶液则相对的向下沉降转移；

步骤3，将倾斜的反应釜还原至初始位置，位于预生长区下部的生长溶液经隔板的导通孔流入到生长区下部的籽晶区域；

重复步骤2和步骤3，直到氮化物晶体生长完成，对反应釜降温降压排除废液并取出晶体。

所述反应釜的倾斜角度为大于0度且小于90度。