[发明专利]一种防止硅表面金属污染的方法有效
| 申请号： | 201510366256.9 | 申请日： | 2015-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN105161407B | 公开（公告）日： | 2018-06-26 |
| 发明（设计）人： | 占琼;汪亚军;张伟光 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 董科 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 硅层 隔离层 金属污染 硬掩模层 硅表面 去除 生长 半导体制造技术 金属元素 制备工艺 工艺流程 硅衬底 可控性 上表面 良率 制程 污染 暴露 覆盖 | ||
1.一种防止硅表面金属污染的方法，其特征在于，应用于存储器件的双层多晶硅堆栈结构的制备工艺中，所述方法包括：
提供一硅衬底；
于所述硅衬底的上表面按照由下至上的顺序依次制备隔离层和硬掩模层；
以所述硬掩模层为掩膜对所述硅衬底进行刻蚀工艺，以形成第一硅层；
采用湿法工艺去除所述硬掩模层后，去除所述隔离层；
于所述第一硅层之上生长第二硅层；
基于所述第一硅层和所述第二硅层制备所述双层多晶硅堆栈结构；
采用H3PO4、HF和SC1混合溶液的湿法工艺去除所述硬掩模层；
所述SC1由H2O2和HCl混合组成。
2.如权利要求1所述的防止硅表面金属污染的方法，其特征在于，通过采用化学气相沉积工艺制备所述隔离层。
3.如权利要求2所述的防止硅表面金属污染的方法，其特征在于，所述化学气相沉积工艺的温度为300℃～500℃。
4.如权利要求1所述的防止硅表面金属污染的方法，其特征在于，所述隔离层为氧化硅层或氮氧化硅层。
5.如权利要求1所述的防止硅表面金属污染的方法，其特征在于，所述硬掩模层的材质为氮化硅。
6.如权利要求1所述的防止硅表面金属污染的方法，其特征在于，所述隔离层的厚度为
7.如权利要求1所述的防止硅表面金属污染的方法，其特征在于，采用HF溶液和O3去除所述隔离层。
8.如权利要求1所述的防止硅表面金属污染的方法，其特征在于，采用外延工艺于所述第一硅层之上生长所述第二硅层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
