[发明专利]在SiC材料中获取二维电子气的方法有效
| 申请号： | 201510366654.0 | 申请日： | 2015-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN105047532B | 公开（公告）日： | 2018-10-02 |
| 发明（设计）人： | 申占伟;张峰;赵万顺;王雷;闫果果;刘兴昉;孙国胜;曾一平 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | sic 材料 获取 二维 电子 方法 | ||
1.一种在SiC材料中获取二维电子气的方法，包括如下步骤：
步骤1：取一晶面为(0001)的SiC衬底，所述的(0001)的SiC衬底是具有六方纤锌矿的晶体结构，且是零偏角的晶面；
步骤2：在晶面为(0001)的SiC衬底上制作晶面为(0001)的AlN层。
2.一种在SiC材料中获取二维电子气的方法，包括如下步骤：
步骤1：取一晶面为的SiC衬底，所述的(0001)的SiC衬底是具有六方纤锌矿的晶体结构，且是零偏角的晶面；
步骤2：在晶面为的SiC衬底上制作晶面为(0001)的AlN层。
3.一种在SiC材料中获取二维电子气的方法，包括如下步骤：
步骤1：取一晶面为(0001)的SiC衬底，所述的(0001)的SiC衬底是具有六方纤锌矿的晶体结构，且是零偏角的晶面；
步骤2：在晶面为(0001)的SiC衬底上制作晶面为(0001)的AlN层；
步骤3：在晶面为(0001)的AlN层上制作晶面为(0001)的AlxGa1-xN层，其中晶面为(0001)的AlxGa1-xN层中的Al组份0＜x＜1。
4.一种在SiC材料中获取二维电子气的方法，包括如下步骤：
步骤1：取一晶面为(0001)的SiC衬底，所述的(0001)的SiC衬底是具有六方纤锌矿的晶体结构，且是零偏角的晶面；
步骤2：在晶面为(0001)的SiC衬底上制作晶面为的AlN层；
步骤3：在晶面为的AlN层上制作晶面为的AlxGa1-xN层，其中晶面为(0001)的AlxGa1-xN层中的Al组份x小于0.6。
5.一种在SiC材料中获取二维电子气的方法，包括如下步骤：
步骤1：取一晶面为的SiC衬底，所述的(0001)的SiC衬底是具有六方纤锌矿的晶体结构，且是零偏角的晶面；
步骤2：在晶面为的SiC衬底上制作晶面为(0001)的AlN层；
步骤3：在晶面为(0001)的AlN层上制作晶面为(0001)的AlxGa1-xN层，其中晶面为(0001)的AlxGa1-xN层中的Al组份x大于0.6。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
