[发明专利]AMOLED显示器件的制作方法及其结构

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种AMOLED显示器件的制作方法及其结构。

背景技术

有机发光二极管(Organic Light Emitting Display，OLED)显示器件具有自发光、驱动电压低、发光效率高、响应时间短、清晰度与对比度高、近180°视角、使用温度范围宽，可实现柔性显示与大面积全色显示等诸多优点，被业界公认为是最有发展潜力的显示装置。

OLED显示器件按照驱动方式可以分为无源矩阵型OLED(Passive Matrix OLED，PMOLED)和有源矩阵型OLED(Active Matrix OLED，AMOLED)两大类。其中，AMOLED具有呈阵列式排布的像素，属于主动显示类型，发光效能高，通常用作高清晰度的大尺寸显示装置。

主动有机发光显示器(AMOLED)是一种利用直流电压驱动的薄膜发光器件，AMOLED显示技术与传统的LCD显示方式不同，无需背光灯，采用非常薄的有机材料涂层和玻璃基板，当有电流通过时，这些有机材料就会发光，而且AMOLED显示器件可以做得更轻薄，可视角度更大，并且能够显著节省电能。

如图1所示，现有的AMOLED显示器件通常自下而上依次设置：玻璃基板100、薄膜晶体管(TFT)阵列层200、像素电极层即阳极层300、有机发光层400、阴极层500、及封装盖板600。其中，TFT阵列层200内的栅极、数据线、与源/漏极均为金属层，金属的反光能力较强，而且分别设于有机发光层400上、下两侧的阳极层300与阴极层500一般都采用反光或半反光材料，同时，AMOLED显示器件内与有机发光层400相对的区域均为开口区域，使得外部环境光可以进入AMOLED显示器件并发生强烈的反射，影响AMOLED显示器件的显示效果。目前，解决AMOLED显示器件光反射的方法通常采用在玻璃基板100或封装盖板600上贴合一片圆偏光片，如图1示意出了将原偏光片700贴合在玻璃基板100下表面，利用圆偏光片700起到防反作用。但贴合圆偏光片带来的负面影响是：OLED显示器件的显示亮度降低明显，为实现OLED显示器件与贴片前有同等的显示亮度，则功耗会相应增加，功耗的增加又会带来AMOLED显示器件寿命的大幅缩短，整个AMOLED显示器件的厚度也增加了约160μm甚至更多，另外，增加圆偏光片也会拉高AMOLED显示器件的制作成本。

发明内容

本发明的目的在于提供一种AMOLED显示器件的制作方法，能够在不增加圆偏光片的前提下，使得AMOLED显示器件具有良好的防止外部环境光反射的作用，提高AMOLED显示器件的显示亮度，延长AMOLED显示器件的使用寿命，降低AMOLED显示器件的厚度和制作成本。

本发明的目的还在于提供一种MOLED显示器件结构，具有良好的防止外部环境光反射的作用，具有较高的显示亮度与使用寿命，厚度较小、制作成本较低。

为实现上述目的，本发明提供了一种AMOLED显示器件的制作方法，包括：

在制作栅极之前沉积一层无机膜，并对该无机膜进行等离子轰击处理，使其表面粗糙化，形成栅极防反层的步骤；

以及在制作源/漏极与数据线之前沉积一层无机膜，并对该无机膜进行等离子轰击处理，使其表面粗糙化，形成蚀刻阻挡与源/漏极防反层的步骤。

所述AMOLED显示器件的制作方法包括如下步骤：

步骤1、提供一基板，在所述基板上沉积一层无机膜，并对该无机膜进行等离子轰击处理，使其表面粗糙化，形成栅极防反层；

步骤2、在所述栅极防反层上沉积第一金属层，并对该第一金属层进行图案化处理，形成栅极；

步骤3、在所述栅极及栅极防反层上沉积栅极绝缘层；

步骤4、在所述栅极绝缘层上沉积半导体膜，并对该半导体膜进行图案化处理，形成岛状有源层；

步骤5、在所述岛状有源层与栅极绝缘层上沉积一层无机膜，并对该无机膜进行等离子轰击处理，使其表面粗糙化，形成蚀刻阻挡与源/漏极防反层，再对所述蚀刻阻挡与源/漏极防反层进行图案化处理，制得分别暴露出所述岛状有源层两侧的第一过孔与第二过孔；

步骤6、在所述蚀刻阻挡与源/漏极防反层上沉积第二金属层，并对该第二金属层进行图案化处理，形成源/漏极与数据线，所述源/漏极分别通过第一过孔与第二过孔接触所述岛状有源层；

步骤7、在所述源/漏极、数据线及蚀刻阻挡与源/漏极防反层上沉积钝化保护膜，并对该钝化保护膜进行图案化处理，形成暴露出部分源/漏极的第三过孔；