[发明专利]半导体覆盖用玻璃和使用该玻璃形成的半导体覆盖用材料在审
| 申请号： | 201510366918.2 | 申请日： | 2011-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN105152532A | 公开（公告）日： | 2015-12-16 |
| 发明（设计）人： | 西川欣克 | 申请（专利权）人： | 日本电气硝子株式会社 |
| 主分类号： | C03C8/04 | 分类号： | C03C8/04;C03C8/14;C03C8/20 |
| 代理公司： | 北京奉思知识产权代理有限公司 11464 | 代理人： | 吴立;邹轶鲛 |
| 地址： | 日本滋贺*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 覆盖 玻璃 使用 形成 用材 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体覆盖用玻璃，其特征在于，以质量％计，含有ZnO40～60％、B2O35～25％、SiO220～35％、Al2O33～12％、MnO20.1～5％的组成，且实质上不含铅成分。
2.如权利要求1所述的半导体覆盖用玻璃，其特征在于，还含有：Bi2O30～5％、Nb2O50～5％、CeO20～3％的组成。
3.一种半导体覆盖用材料，其特征在于，含有由权利要求1或2所述的半导体覆盖用玻璃形成的玻璃粉末。
4.如权利要求3所述的半导体覆盖用材料，其特征在于，相对于100质量份所述玻璃粉末，含有0.01～5质量份的选自TiO2、ZrO2、ZnO、ZnO·B2O3和2ZnO·SiO2中的至少一种无机粉末。
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