[发明专利]基于高压LED芯片的隔离结构及隔离方法

权利要求书

1.一种基于高压LED芯片的隔离结构，所述隔离结构包括衬底及若干位于衬底上的高压LED外延结构，所述高压LED外延结构包括通过串联电极串联的第一LED外延结构和第二LED外延结构，相邻所述高压LED外延结构之间定义有切割道，每个高压LED外延结构中的第一LED外延结构和第二LED外延结构之间定义有隔离道，其特征在于，所述隔离结构上定义有第一刻蚀区域和第二刻蚀区域，所述第二刻蚀区域环绕于第一刻蚀区域外围，所述第一刻蚀区域内包括若干第一切割道和第一隔离道，所述第一隔离道的刻蚀至衬底，第一切割道的刻蚀深度小于第一隔离道的刻蚀深度，第二刻蚀区域内包括若干第二切割道和第二隔离道，第二切割道和第二隔离道均刻蚀至衬底。

2.根据权利要求1所述的基于高压LED芯片的隔离结构，其特征在于，所述第二刻蚀区域为衬底上边缘2~10排高压LED外延结构所在的区域。

3.根据权利要求2所述的基于高压LED芯片的隔离结构，其特征在于，所述第二刻蚀区域为衬底上边缘2排高压LED外延结构所在的区域。

4.一种基于高压LED芯片的隔离方法，其特征在于，所述方法包括：

提供一衬底；

在衬底上形成若干高压LED外延结构，高压LED外延结构包括串联的第一LED外延结构和第二LED外延结构，相邻高压LED外延结构之间定义有切割道，每个高压LED外延结构中的第一LED外延结构和第二LED外延结构之间定义有隔离道，隔离结构上定义有第一刻蚀区域和第二刻蚀区域，第二刻蚀区域环绕于第一刻蚀区域外围，第一刻蚀区域内包括若干第一切割道和第一隔离道，第二刻蚀区域内包括若干第二切割道和第二隔离道；

对第一刻蚀区域和第二刻蚀区域中的切割道和隔离道采用干法刻蚀工艺进行刻蚀，隔离得到若干高压LED芯片，其中，第一隔离道的刻蚀至衬底，第一切割道的刻蚀深度小于第一隔离道的刻蚀深度，第二切割道和第二隔离道均刻蚀至衬底。

5.根据权利要求4所述的基于高压LED芯片的隔离方法，其特征在于，所述采用干法刻蚀工艺进行刻蚀具体为：

采用SiO₂、光刻胶作为掩膜对衬底上的高压LED外延结构进行ICP刻蚀。

6.一种基于高压LED芯片的隔离结构，所述隔离结构包括衬底及若干位于衬底上的高压LED外延结构，所述高压LED外延结构包括串联形成的第一LED外延结构和第二LED外延结构，相邻所述高压LED外延结构之间定义有切割道，每个高压LED外延结构中的第一LED外延结构和第二LED外延结构之间定义有隔离道，其特征在于，所述隔离结构上定义有第一刻蚀区域和第二刻蚀区域，所述第二刻蚀区域环绕于第一刻蚀区域外围，所述第一刻蚀区域内包括若干第一切割道和第一隔离道，所述第一隔离道的刻蚀至衬底，第一切割道的刻蚀深度小于第一隔离道的刻蚀深度，第二刻蚀区域全部刻蚀至衬底。

7.根据权利要求6所述的基于高压LED芯片的隔离结构，其特征在于，所述第二刻蚀区域为衬底上边缘宽度1~5cm所在的区域。

8.根据权利要求7所述的基于高压LED芯片的隔离结构，其特征在于，所述第二刻蚀区域为衬底上边缘宽度1cm所在的区域。

9.一种基于高压LED芯片的隔离方法，其特征在于，所述方法包括：

提供一衬底；

在衬底上形成若干高压LED外延结构，高压LED外延结构包括串联的第一LED外延结构和第二LED外延结构，相邻高压LED外延结构之间定义有切割道，每个高压LED外延结构中的第一LED外延结构和第二LED外延结构之间定义有隔离道，隔离结构上定义有第一刻蚀区域和第二刻蚀区域，第二刻蚀区域环绕于第一刻蚀区域外围，第一刻蚀区域内包括若干第一切割道和第一隔离道；

对第一刻蚀区域中的切割道和隔离道和第二刻蚀区域采用干法刻蚀工艺进行刻蚀，隔离得到若干高压LED芯片，其中，第一隔离道的刻蚀至衬底，第一切割道的刻蚀深度小于第一隔离道的刻蚀深度，第二刻蚀区域全部刻蚀至衬底。

10.根据权利要求9所述的基于高压LED芯片的隔离方法，其特征在于，所述采用干法刻蚀工艺进行刻蚀具体为：

采用SiO₂、光刻胶作为掩膜对衬底上的高压LED外延结构进行ICP刻蚀。