[发明专利]低压差稳压器电路

说明书

技术领域

本发明涉及电路领域，尤其涉及一种低压差稳压器电路。

背景技术

在电子设备中，电源电压通常都可能在较大的范围内变化，例如便携式设备中的锂离子电池充足电时能够提供4.2伏特的电压，放电完后仅能提供2.3伏特的电压，变化范围很大。而电子设备的工作电路通常需要稳定的电源电压，因此目前通常在电源的输出端加入低压差稳压器(LDO：Low Dropout Regulator)电路，由于低压差稳压器具有设定的稳压电压，其首先将实际电源电压转换为所述设定的稳压电压，再将转换后的稳压电压提供给工作电路，这样就保证了电子设备的电源电压变化时，通过低压差稳压器提供给工作电路的电压始终稳定。

根据便携式设备的工作状态，其工作电路有可能处于低功耗模式，此时，低压差稳压器电路本身存在较大的静态电流。因此，有必要使得低压差稳压器电路也进入低功耗模式，以减少其所消耗的静态电流。现有技术中，通常会在除正常模式使用的低压差稳压器电路外，再集成仅用于驱动小负载电流的另一套低功耗低压差稳压器电路。但是，由于存在正常模式和低功耗两套低压差稳压器电路，其存在以下缺点：除需要校准正常模式的低压差稳压器外，还需要对低功耗低压差稳压器进行单独校准，增加了自动检测系统(ATE)的校准成本；整个低压差稳压器电路在正常模式和低功耗模式之间进行切换时输出电压会发生跳变；额外的低功耗低压差稳压器增加了芯片面积。

因此，有必要提出一种新型的低压差稳压器电路。

发明内容

本发明解决的问题是，现有技术的低压差稳压器电路的性能不佳。

为解决上述问题，本发明提供了一种低压差稳压器电路，所述低压差稳压器电路包括：误差放大器电路、缓冲电路、功率放大电路和反馈电路，其中，所述误差放大器电路的第一输入端接入基准电压，输出端连接所述缓冲电路的输入端；所述功率放大电路的输入端连接所述缓冲电路的输出端，输出端作为所述低压差稳压器电路的输出端；所述反馈电路的输入端连接所述功率放大电路的输出端，输出端连接所述误差放大器电路的第二输入端；所述误差放大器电路和所述缓冲电路还适于接入休眠控制信号，所述休眠控制信号可以改变所述误差放大器电路和所述缓冲电路的偏置电流，使得所述低压差稳压器电路工作在正常模式下或者低功耗模式下。

可选地，所述误差放大器电路包括：第一PMOS晶体管、第二PMOS晶体管、第三PMOS晶体管、第一NMOS晶体管和第二NMOS晶体管，其中，所述第一PMOS晶体管的源极接入第一电压，漏极连接第二PMOS晶体管和第三PMOS晶体管的源极；所述第二PMOS晶体管的栅极接入所述基准电压，作为所述误差放大器电路的第一输入端；所述第三PMOS晶体管的栅极连接所述反馈电路的输出端，作为所述误差放大器电路的第二输入端；所述第一NMOS晶体管漏极和栅极连接所述第二PMOS晶体管的漏极，源极连接第二电压；所述第二NMOS晶体管的漏极、栅极和源极分别连接所述第三PMOS晶体管的漏极、所述第二PMOS晶体管的漏极和所述第二电压，且所述第二NMOS晶体管的漏极作为所述误差放大器电路的输出端。

可选地，所述休眠控制信号连接所述第一PMOS晶体管的栅极，通过改变所述第一PMOS晶体管的偏置电压来使得所述误差放大器电路在低功耗模式下的偏置电流小于正常模式下的偏置电流。

可选地，所述缓冲电路包括：第一开关、第一电阻、第二电阻、第四PMOS晶体管、第二开关、第三NMOS晶体管和第四NMOS晶体管，其中，所述第四PMOS晶体管的源极接入第一电压，栅极和漏极互连且作为所述缓冲电路的输出端；所述第一开关的第一端连接所述第一电压，第二端连接所述第一电阻的第一端；所述第一电阻的第二端连接所述第四PMOS晶体管的漏极，所述第二电阻的第一端和第二端分别连接所述第一电压和所述第四PMOS晶体管的漏极；所述第二开关的第一端作为所述缓冲电路的输入端且连接所述误差放大器电路的输出端，第二端连接所述第三NMOS晶体管的栅极；所述第三NMOS晶体管的漏极连接所述第四PMOS晶体管的漏极，源极连接第二电压；所述第四NMOS晶体管的漏极、栅极和源极分别连接所述第四PMOS晶体管的漏极、所述第二开关的第一端和所述第二电压。

可选地，所述休眠控制信号适于控制所述第一开关和所述第二开关，使得当所述低压差稳压器电路工作在正常模式下时，所述第一开关和所述第二开关闭合，当所述低压差稳压器电路工作在低功耗模式下时，所述第一开关和所述第二开关断开。

可选地，所述第二电阻的阻值大于所述第一电阻的阻值。