[发明专利]电镀法有效
| 申请号： | 201510368373.9 | 申请日： | 2015-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN105316712B | 公开（公告）日： | 2019-04-30 |
| 发明（设计）人： | M·A·托尔塞斯;M·A·斯卡利西;L·A·戈麦斯;B·利布;R·L·阿兹布鲁克;M·列斐伏尔 | 申请（专利权）人： | 罗门哈斯电子材料有限责任公司 |
| 主分类号： | C25D3/38 | 分类号： | C25D3/38;C25D1/08;C25D7/04 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 胡嘉倩;陈哲锋 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 表面缺陷 铜沉积物 电镀法 铜电镀 铜填充 无空隙 通孔 | ||
1.一种用铜填充电子装置中的通孔的方法，其包含：提供包含铜离子源、酸电解质、卤离子源、加速剂、调平剂以及抑制剂的酸性铜电镀浴，其中所述铜电镀浴的动态表面张力≤40mN/m；提供具有一或多个待使用铜填充的通孔且具有导电表面的电子装置衬底作为阴极；使所述电子装置衬底与所述铜电镀浴接触；以及施加电势持续足以用铜沉积物填充所述通孔的时间；其中所述通孔中的所述铜沉积物在退火之前不具有≥0.1μm尺寸的空隙且在任何维度中都不具有>2μm的表面缺陷；所述抑制剂包含环氧乙烷作为聚合单元和由分支链脂肪族仲醇形成的端基。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述电子装置为晶片或晶粒。
3.根据权利要求1所述的方法，其中所述抑制剂具有式RO-[(CH2CH2O)n(CHXCHYO)m]-H，其中R-O-由分支链脂肪族仲醇形成；X和Y独立地为氢、甲基或乙基且其中X和Y中的至少一者为甲基或乙基；n为整数3到500；且m为整数0到300。
4.根据权利要求3所述的方法，其中m＝0，n为3-50。
5.根据权利要求1所述的方法，其中所述铜电镀浴的pH≤2。
6.根据权利要求1所述的方法，其中所述导电表面为晶种层。
7.根据权利要求6所述的方法，其中所述晶种层为铜晶种层。
8.一种铜电镀浴组合物，其包含：铜离子源；酸电解质；卤离子源；加速剂；调平剂；以及抑制剂；其中所述铜电镀浴的动态表面张力≤40mN/m；且其中所述铜电镀为酸性的；所述抑制剂包含环氧乙烷作为聚合单元和由分支链脂肪族仲醇形成的端基。
9.根据权利要求8所述的组合物，其中所述抑制剂具有式RO-[(CH2CH2O)n(CHXCHYO)m]-H，其中R-O-由分支链脂肪族仲醇形成；X和Y独立地为氢、甲基或乙基且其中X和Y中的至少一者为甲基或乙基；n为整数3到500；且m为整数0到300。
10.根据权利要求9所述的组合物，其中m＝0，n为3-50。
11.根据权利要求8所述的组合物，其中所述抑制剂以0.5到500ppm的量存在。
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