[发明专利]制造嵌段共聚物的方法和由其制造的物品有效
申请号: | 201510368660.X | 申请日: | 2015-06-29 |
公开(公告)号: | CN105319841B | 公开(公告)日: | 2019-12-10 |
发明(设计)人: | J·J·张;P·D·胡斯泰特;P·特雷福纳斯三世;M·李;V·V·金兹伯格;J·D·魏因霍尔德 | 申请(专利权)人: | 陶氏环球技术有限责任公司;罗门哈斯电子材料有限责任公司 |
主分类号: | G03F7/004 | 分类号: | G03F7/004;G03F7/00 |
代理公司: | 31100 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 江磊;陈哲锋 |
地址: | 美国密*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 嵌段共聚物 嵌段 聚合物 | ||
1.一种组合物,包含:
第一嵌段共聚物,所述第一嵌段共聚物包含第一嵌段和第二嵌段;其中所述第一嵌段的表面能高于所述第二嵌段;
第二嵌段共聚物,所述第二嵌段共聚物包含第一嵌段和第二嵌段;其中所述第一嵌段共聚物的所述第一嵌段在化学上与所述第二嵌段共聚物的所述第一嵌段相同或类似并且所述第一嵌段共聚物的所述第二嵌段在化学上与所述第二嵌段共聚物的所述第二嵌段相同或类似;其中以所述第二嵌段共聚物的所述第一嵌段的总固体计的重量百分比大于所述第一嵌段共聚物的所述第一嵌段的总固体重量百分比;
其中所述第一嵌段共聚物在单独安置在衬底上时相分离成圆柱形或片层状结构域的第一形态;其中所述第二嵌段共聚物在单独安置在衬底上时相分离成圆柱形、片层状或球状结构域的第二形态;并且其中所述第一形态和所述第二形态是不同的;以及
第一聚合物,所述第一聚合物在化学上与所述第一嵌段共聚物的所述第一嵌段和所述第二嵌段共聚物的所述第一嵌段相同或类似;以及
第二聚合物,所述第二聚合物在化学上与所述第一嵌段共聚物的所述第二嵌段和所述第二嵌段共聚物的所述第二嵌段相同或类似;其中所述第一和所述第二嵌段共聚物的χ参数在200℃的温度下大于0.04。
2.根据权利要求1所述的组合物,其中所述第一聚合物选自均聚物或无规共聚物。
3.根据权利要求1所述的组合物,其中所述第一和所述第二聚合物是均聚物。
4.根据权利要求1到3中任一项所述的组合物,其中所述第一聚合物和所述第二聚合物以所述组合物的总固体计以小于40wt%的组合量存在。
5.根据权利要求1到3中任一项所述的组合物,其中所述第一嵌段共聚物的所述第一嵌段包含聚苯乙烯、聚(甲基)丙烯酸酯、聚烯烃、聚丙烯酸、聚碳酸酯、聚酯、聚酰胺、聚酰胺酰亚胺、聚乙烯醚、聚乙烯硫醚、聚乙烯醇、聚脲、聚(乙烯基吡啶)、聚(乙烯基咪唑)、聚(乙烯基吡唑)或其组合。
6.根据权利要求1到3中任一项所述的组合物,其中所述第一嵌段共聚物的所述第一嵌段包含聚苯乙烯或聚甲基丙烯酸甲酯,并且其中所述第一嵌段共聚物的所述第二嵌段包含聚二甲基硅氧烷。
7.根据权利要求1到3中任一项所述的组合物,其中所述第一嵌段共聚物的所述第二嵌段包含由式(1)表示的结构
其中每个R独立地是C1-C10烷基、C3-C10环烷基、C6-C14芳基、C7-C13烷基芳基或C7-C13芳基烷基,并且其中所述式(1)中的聚合度n是10到5,000。
8.根据权利要求1到3中任一项所述的组合物,其中所述组合物包含圆柱形和/或片层状结构域,并且在浇铸在所述衬底上并且在高于玻璃化转变温度并且低于无序-有序转变温度和分解温度的温度下退火之后,结构域间间距小于或等于25纳米。
9.一种形成图案的方法,包含:
在衬底上安置根据权利要求1到8中任一项所述的组合物;
使所述衬底退火;以及
去除所述组合物的一部分以形成图案。
10.根据权利要求9所述的方法,其中所述衬底包含图案,所述图案引导所述组合物在退火之后形成与所述衬底上的所述图案对齐的片层状或圆柱形结构域。
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