[发明专利]制造蓝宝石基底的方法及制造第III族氮化物半导体发光器件的方法

权利要求书

1.一种制造蓝宝石基底的方法，所述方法包括如下步骤：

通过光刻在蓝宝石晶片的第一表面上形成第一抗蚀剂图案；

通过蚀刻所述第一抗蚀剂图案来形成第二抗蚀剂图案；

以所述第二抗蚀剂图案作为掩模来蚀刻所述蓝宝石晶片的所述第一表面；并且

形成所述第二抗蚀剂图案包括：

在第一阶段期间，通过向所述第一抗蚀剂图案提供氯基气体来蚀刻所述第一抗蚀剂图案；

在第二阶段期间，向通过蚀刻所述第一抗蚀剂图案获得的中间抗蚀剂图案辐照被制成等离子体的稀有气体；以及

在第三阶段期间，通过提供氯基气体并且对所述中间抗蚀剂图案进行蚀刻来形成所述第二抗蚀剂图案。

2.根据权利要求1所述的制造蓝宝石基底的方法，其中

蚀刻所述第一抗蚀剂图案和蚀刻所述中间抗蚀剂图案进行为将所述第一抗蚀剂图案的形状布置成为所述第二抗蚀剂图案的形状；以及

在将所述抗蚀剂图案布置成所述第二抗蚀剂图案期间，执行辐照等离子体。

3.根据权利要求1所述的用于制造蓝宝石基底的方法，其中

所述第一抗蚀剂图案具有与所述蓝宝石晶片的所述第一表面相交的第一表面；

所述第二抗蚀剂图案具有与所述蓝宝石晶片的所述第一表面相交的第二表面；

相交的第一表面与所述蓝宝石晶片的所述第一表面之间的角度在75°至90°的范围内；并且

相交的第二表面与所述蓝宝石晶片的所述第一表面之间的角度在45°至65°的范围内。

4.根据权利要求1所述的制造蓝宝石基底的方法，其中

所述第一抗蚀剂图案具有与所述蓝宝石晶片的所述第一表面相交的第一表面；

所述第二抗蚀剂图案具有与所述蓝宝石晶片的所述第一表面相交的第二表面；并且

相交的第二表面与所述蓝宝石晶片的所述第一表面之间的角度比相交的第一表面与所述蓝宝石晶片的所述第一表面之间的角度小10°以上。

5.根据权利要求3所述的制造蓝宝石基底的方法，其中

所述第一抗蚀剂图案具有与所述蓝宝石晶片的所述第一表面相交的第一表面；

所述第二抗蚀剂图案具有与所述蓝宝石晶片的所述第一表面相交的第二表面；并且

所述相交的第二表面与所述蓝宝石晶片的所述第一表面之间的角度比所述相交的第一表面与所述蓝宝石晶片的所述第一表面之间的角度小10°以上。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的制造蓝宝石基底的方法，其中

所述第一抗蚀剂图案为截头圆锥形状或截头多棱锥形状；以及

所述第二抗蚀剂图案为圆锥形状或多棱锥形状。

7.根据权利要求1至5中任一项所述的制造蓝宝石基底的方法，其中

在开始辐照等离子体时，开始提供所述稀有气体；

在结束辐照等离子体时，停止提供所述稀有气体。

8.根据权利要求6所述的制造蓝宝石基底的方法，其中

在开始辐照等离子体时，开始提供所述稀有气体；

在结束辐照等离子体时，停止提供所述稀有气体。

9.一种用于制造第III族氮化物半导体发光器件的方法，所述方法包括如下步骤：

通过根据权利要求1至5中任一项所述的制造蓝宝石基底的方法制造蓝宝石基底；

在所述蓝宝石基底的第一表面上形成第III族氮化物半导体层；以及

在所述第III族氮化物半导体层上形成电极。