[发明专利]PAD刻蚀工艺方法

说明书

技术领域

本发明涉及集成电路制造领域，特别是涉及PAD(钝化层)刻蚀工艺。

背景技术

在集成电路制造工艺中，最后一步工序都是形成钝化层，以增强器件对离子粘污的阻挡能力，保护电路和内部互连线免受机械和化学损伤。为了达到上述要求，一般都需要形成很厚的(一般大于20K)的一层钝化层(passivationlayer，简称PAD)，现有PAD刻蚀工艺中，由于刻蚀时间长(一般大于4min)，使用的光刻胶厚(一般大于4μm)，PAD表面容易发生聚合物残留，后续的湿法和干法去胶不能有效地把聚合物去除干净(干法去胶使用微波，湿法去胶使用纯化学腐蚀，都是各向同性的反应，对于Al晶格间的聚合物去除能力不如等离子刻蚀方法(各向异性反应)强)，在PAD表面聚合物中的氟会作为Al腐蚀的催化剂，加快Al的腐蚀，如图1中所示，Al腐蚀的反应原理如下：

Al+F---->AlF₃

AlF₃+H₂O---->Al(OH)₃+F

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种PAD刻蚀工艺方法，它可以避免PAD表面发生铝腐蚀。

为解决上述技术问题，本发明的PAD刻蚀工艺方法，在刻蚀时仍采用光刻胶做掩膜，但在刻蚀气体中加入O₂，用于去除刻蚀过程中残留在PAD表面的聚合物。

所述刻蚀气体的组成包括：CF₄、O₂、N₂、Ar，所述刻蚀气体中各组成成分的流量分别为：CF₄20sccm，O₂10sccm、N₂20sccm、Ar200sccm。

较佳的，刻蚀条件为：温度20℃±5℃，气压8Pa±2Pa，功率800W±100W。

本发明通过在以CF₄为主的刻蚀气体中增加适量的O₂，去除刻蚀过程中残留在PAD表面的聚合物，增加了腐蚀窗口，有效避免了PAD表面发生铝腐蚀。

附图说明

图1是现有PAD刻蚀工艺中，PAD表面发生铝腐蚀。

图2是采用本发明的PAD刻蚀工艺后，PAD表面没有发生铝腐蚀。

具体实施方式

为对本发明的技术内容、特点与功效有更具体的了解，现结合附图，详述如下：

本实施例的PAD刻蚀工艺方法，是在以CF₄为主的刻蚀气体中，增加适量的新鲜O₂，去除聚合物。

具体的刻蚀工艺条件如下：

温度为20℃±5℃，气压为8Pa±2Pa，功率为800W±100W，刻蚀气体包括：20sccmCF₄、10sccmO₂、20sccmN₂、200sccmAr。