[发明专利]电致发光器件及其制作方法和驱动方法、显示装置在审
申请号: | 201510369486.0 | 申请日: | 2015-06-26 |
公开(公告)号: | CN105140410A | 公开(公告)日: | 2015-12-09 |
发明(设计)人: | 张晓晋;冯翔;谢蒂旎 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/56;H01L27/32;H05B33/08 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;陈源 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电致发光 器件 及其 制作方法 驱动 方法 显示装置 | ||
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种电致发光器件及其制作方法和驱动方法、显示装置。
背景技术
现有的电致发光器件主要为叠层型器件和串联式器件。受到器件结构的限制,上述两种器件具有如下缺陷:
叠层型器件极易在层界面处产生激基复合物猝灭,且随着器件亮度的增加,存在色温变化不可控的问题;串联式器件很难避免由于各发光层接触不良而引起的额外功耗,同时,串联式器件也难以实现对白光色温的调节。
因此,在同一个器件结构中实现颜色的可控和高效的光输出,无论在显示领域还是照明领域都具有非常重要的意义和应用价值。
发明内容
本发明的目的在于提供一种电致发光器件及其制作方法和驱动方法、显示装置,以解决现有的电致发光器件色温难以调节、发光效率低的技术问题。
为解决上述技术问题,作为本发明的第一个方面,提供一种电致发光器件,包括:
透明基板;
分别设置在所述透明基板两侧的第一发光单元和第二发光单元,所述第一发光单元和所述第二发光单元的发光方向相同且分别连接一控制电路。
优选地,所述第一发光单元为底发光单元,所述第二发光单元为顶发光单元。
优选地,所述第一发光单元包括从该第一发光单元靠近所述透明基板的一侧到远离该侧依次设置的第一透明阳极、第一发光层和全反射阴极;所述第二发光单元包括从该第二发光单元靠近所述透明基板的一侧到远离该侧依次设置的第二透明阳极、第二发光层和透明阴极。
优选地,所述第一透明阳极和所述第二透明阳极之间电连接。
优选地,所述透明基板的折射率为1.7-2。
优选地,所述第一发光层为长波有机发光材料层,所述第一发光层能够发出波长为561-760nm的光;所述第二发光层为短波有机发光材料层,所述第二发光层能够发出波长为380-560nm的光。
优选地,所述第一发光层为黄光有机发光材料层,所述第二发光层为蓝光有机发光材料层。
优选地,所述第一发光单元还包括设置在所述第一透明阳极和所述第一发光层之间的第一空穴注入层和第一空穴传输层、以及设置在所述全反射阴极和所述第一发光层之间的第一电子注入层和第一电子传输层;
所述第二发光单元还包括设置在所述第二透明阳极和所述第二发光层之间的第二空穴注入层和第二空穴传输层、以及设置在所述透明阴极和所述第二发光层之间的第二电子注入层和第二电子传输层。
优选地,所述第一电子注入层和所述第一电子传输层合并为第一电子辅助层,所述第二电子注入层和所述第二电子传输层合并为第二电子辅助层。
作为本发明的第二个方面,还提供一种电致发光器件的制作方法,包括以下步骤:
提供透明基板;
在所述透明基板的两侧分别制作第一发光单元和第二发光单元,其中,所述第一发光单元和所述第二发光单元的发光方向相同且分别连接一控制电路。
优选地,制作所述透明基板的材料包括聚酰亚胺或者聚酰亚胺/二氧化钛复合材料,所述透明基板的厚度为100-1000μm。
优选地,制作所述第一发光单元的步骤包括:
在所述透明基板的一侧依次形成第一透明阳极、第一发光层和全反射阴极。
优选地,制作所述第一透明阳极的材料包括氧化铟锡,所述第一透明阳极的厚度为80-160nm。
优选地,所述第一发光层为黄光有机发光材料层,制作所述第一发光层的材料包括黄色荧光材料或者黄色磷光材料,所述第一发光层的厚度为20-50nm。
优选地,所述全反射阴极为金属阴极,制作所述全反射阴极的材料包括镁、银和铝中的任意一者或者任意几者的合金,所述全反射阴极的厚度为80-200nm。
优选地,所述制作方法还包括在形成所述第一透明阳极和所述第一发光层之间进行的:
形成第一空穴注入层和第一空穴传输层;
以及,在形成所述第一发光层和所述全反射阴极之间进行的:
形成第一电子传输层和第一电子注入层。
优选地,制作所述第一空穴注入层的材料包括酞菁酮、酞菁锌、2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮杂苯并菲和2,3,5,6-四氟-7,7',8,8'-四氰二甲基对苯醌中的任意一者,所述第一空穴注入层的厚度为5-40nm。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
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