[发明专利]功率半导体布置中的电流测量

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

多个半导体元件，具有控制路径和受控路径，所述受控路径具有可控的导电率并且彼此并联连接；

电流评估电路，被配置为测量所述受控路径中存在的电流的电流强度并且提供表示所测量的电流强度的总和的信号；以及

控制电路，被连接至所述控制路径并且被配置为根据输入信号和表示所述电流强度的总和的信号控制所述受控路径的导电率，其中如果表示所述电流强度的总和的信号低于阈值，则至少一个受控路径被控制以具有最低的导电率。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，进一步包括与所述受控路径串联连接的分流电阻器，其中所述分流电阻器处的电压表示所述受控路径中存在的所述电流，并且跨所述分流电阻器的电压通过所述电流评估电路来评估。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中所述电流评估电路被进一步配置为将跨所述分流电阻器的所述电压相加并且提供表示跨所述分流电阻器的所述电压的总和的输出信号。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，进一步包括至少一个附加阈值，其中被控制以具有最低的导电率的受控路径的数量取决于所述电流强度的总和所低于的阈值的数量。

5.根据权利要求2所述的半导体装置，其中所述电流评估电路包括被配置为独立于被控制以具有最低的导电率的受控路径的数量使表示所述电流强度的总和的信号调整为线性的电路。

6.根据权利要求2所述的半导体装置，其中所述分流电阻器是接合线的片段。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述电流评估电路包括至少一个电流镜电路，所述至少一个电流镜电路被配置为镜像所述受控路径中存在的所述电流或者表示所述受控路径中存在的所述电流的信号。

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述半导体元件是晶体管元件。

9.一种半导体装置，包括：

半导体元件，具有控制路径和受控路径，所述受控路径具有可控的导电率；

电流评估电路，被配置为测量所述受控路径中存在的电流的电流强度并且提供表示所测量的电流强度的信号，其中所述电流评估电路包括提供电阻并且与所述受控路径串联连接的至少一个分流电阻器，跨所述至少一个分流电阻器的电压表示所述受控路径中存在的所述电流，并且所述电流评估电路评估跨所述至少一个分流电阻器的电压；以及

控制电路，被配置为根据表示所述电流强度的所述信号控制由所述至少一个分流电阻器所提供的电阻。

10.根据权利要求9所述的半导体装置，其中所述分流电阻器与开关串联连接并且跨所述分流电阻器的电压表示流过所述分流电阻器和所述开关的电流，跨所述分流电阻器的所述电压通过所述电流评估电路来评估。

11.根据权利要求10所述的半导体装置，其中所述电流评估电路被进一步配置为将跨所述分流电阻器的所述电压相加并且提供表示跨所述分流电阻器的所述电压的总和的输出信号。

12.根据权利要求9所述的半导体装置，进一步包括至少一个附加阈值，其中由所述至少一个分流电阻器提供的所述电阻取决于所述电流强度的总和所低于的阈值的数量。

13.根据权利要求10所述的半导体装置，其中所述电流评估电路包括被配置为独立于被控制以具有最低的导电率的受控路径的数量使表示所述电流强度的总和的信号调整为线性的电路。

14.根据权利要求10所述的半导体装置，其中所述分流电阻器是多条接合线。