[发明专利]表面覆盖TiN‑纳米TiO2膜的电子装置壳体及其加工方法

权利要求书

1.表面覆盖TiN-纳米TiO₂膜的电子装置壳体的加工方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤S100：对陶瓷基体（101）进行表面处理；

步骤S200：将经过表面处理的陶瓷基体（101）稳固置于磁控溅射机的托盘上，通过传输装置将陶瓷基体（101）输送至安装有金属钛靶的真空室；

步骤S300：关闭真空室的出入口，抽真空至3× 10^-4—5× 10^-4Pa，通入氩气和氮气的混合气体；

步骤S400：在功率为50-200W，偏压120-160V，靶距30-40mm，陶瓷基体（101）温度30-300℃的工艺条件下进行溅射，控制溅射时间为20-60min；

步骤S500：缓慢开启真空室使其与室外空气连通，再重新抽取真空度至5× 10^-4—8× 10^-4Pa，通入氩气和氧气的混合气体；

步骤S600：在功率为3000-4000W，无偏压，靶距30-40mm的工艺条件下进行溅射，控制溅射时间为40-400min。

2.根据权利要求1所述的表面覆盖TiN-纳米TiO₂膜的电子装置壳体的加工方法，其特征在于：所述步骤S100具体是指以下流程：

步骤S110：将陶瓷基体（101）放入水温60-80℃的水域中静置1-2h；

步骤S120：将陶瓷基体（101）放入配置20-50%丙酮溶液的清洗槽中，采用超声波清洗10-20min；

步骤S130：用流动的去离子水冲洗陶瓷基体（101），去除丙酮溶液；

步骤S140：取出陶瓷基体（101）并用冷风将其表面吹干，待用。

3.根据权利要求1所述的表面覆盖TiN-纳米TiO₂膜的电子装置壳体的加工方法，其特征在于：所述步骤S200具体是指操作人员佩戴无尘手套或使用洁净取件器将经过表面处理的陶瓷基体（101）摆放在托盘中，由磁控溅射机配置的传输装置将其运输至指定位置。

4.根据权利要求1所述的表面覆盖TiN-纳米TiO₂膜的电子装置壳体的加工方法，其特征在于：所述步骤S300具体是指先用机械泵抽真空至1-2Pa，然后用分子泵抽真空至3.8× 10^-4—4.2× 10^-4Pa，氩气的分压为0.4-1.6Pa，氮气的分压为0.02-0.02Pa。

5.根据权利要求4所述的表面覆盖TiN-纳米TiO₂膜的电子装置壳体的加工方法，其特征在于：所述步骤S400具体是指在功率115W，偏压140V，靶距35mm，陶瓷基体（101）温度200℃的工艺条件下进行溅射，控制溅射时间40min。

6.根据权利要求1所述的表面覆盖TiN-纳米TiO₂膜的电子装置壳体的加工方法，其特征在于：所述步骤S500具体是指重新用机械泵抽真空至1Pa，然后用分子泵抽真空至5.8× 10^-4—6.2× 10^-4Pa，氩气的分压为0.4-2.8Pa，氧气的分压为0.01-0.025Pa。

7.根据权利要求6所述的表面覆盖TiN-纳米TiO₂膜的电子装置壳体的加工方法，其特征在于：所述步骤S600具体是指在功率3500W，偏压0V，靶距35mm的工艺条件下进行溅射，控制溅射时间40-160min。

8.根据权利要求1所述的表面覆盖TiN-纳米TiO₂膜的电子装置壳体的加工方法，其特征在于：所述氩气作为溅射气体，其纯度大于99.999%；所述氮气作为反应气，其纯度大于99.99%；所述氧气作为反应气，其纯度大于99.9%。

9.根据权利要求1-8任意一项所述的表面覆盖TiN-纳米TiO₂膜的电子装置壳体的加工方法，其特征在于：所述金属钛靶的纯度大于99.96%。