[发明专利]具有垂直沟道的半导体集成电路器件及其制造方法

权利要求书

1.一种制造半导体集成电路器件的方法，所述方法包括：

在半导体衬底之上形成有源线；

在所述有源线的下侧壁之上形成栅电极；

在所述有源线与相邻的有源线之间形成第一绝缘层以掩埋所述栅电极，其中所述有源线的上部暴露于所述第一绝缘层之上；

在所述有源线的上部中形成漏极区，以及形成从所述有源线下面的半导体衬底延伸到所述相邻的有源线下面的半导体衬底的公共源极区；以及

在对应于所述漏极区的所述有源线的上部的上表面和侧壁之上形成硅化物层。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在形成所述有源线和形成所述栅电极之间，在所述有源线的下侧壁与所述栅电极之间形成栅绝缘层。

3.根据权利要求2所述的方法，还包括：

在形成所述栅电极与形成所述第一绝缘层之间，在由所述栅电极暴露的有源线中形成轻掺杂漏极离子区。

4.根据权利要求3所述的方法，其中所述漏极区和所述公共源极区中的杂质浓度高于所述轻掺杂漏极离子区中的杂质浓度。

5.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在形成所述漏极区和所述公共源极区之后，在所述漏极区的表面中形成接触离子区，

其中所述接触离子区具有比所述漏极区的杂质浓度更高的杂质浓度。

6.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在所述有源线与所述相邻的有源线之间间隙填充第二绝缘层；

在所述第二绝缘层之上形成沿大体垂直于所述有源线的方向延伸的掩模图案；以及

通过使用所述掩模图案将所述有源线图案化而形成有源柱。

7.根据权利要求6所述的方法，还包括：在形成所述有源柱之后，

在所述有源柱之间间隙填充第三绝缘层；以及

将所述第三绝缘层平坦化以暴露所述硅化物层。

8.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在所述硅化物层之上形成下电极；

在所述下电极之上形成可变电阻层；以及

在所述可变电阻层之上形成上电极。

9.一种制造半导体集成电路器件的方法，所述方法包括：

在半导体衬底之上形成彼此平行延伸的第一有源线和第二有源线，其中所述有源线中的每个具有第一导电类型；

在所述第一有源线的下侧壁之上形成栅电极，其中所述栅电极具有线形形状；

在所述第一有源线和所述第二有源线之间间隙填充第一绝缘层，其中所述第一绝缘层向上延伸至比所述栅电极更高的水平高度；

在所述第一有源线的上部中形成漏极区，以及在所述第一有源线下面的半导体衬底中形成源极区，其中所述漏极区和所述源极区中的每个具有杂质，所述杂质具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型，其中所述第一有源线的上部暴露于所述栅电极之上；

形成从所述漏极区的上表面延伸到所述漏极区的侧壁的硅化物层；

在所述硅化物层之上和所述第一绝缘层之上间隙填充第二绝缘层；以及

使用在大体垂直于所述第一有源线的方向上延伸的掩模来刻蚀所述第一有源线以形成有源柱，

其中所述有源柱的上部被所述硅化物层覆盖。

10.根据权利要求9所述的方法，还包括：

在形成所述第一有源线和所述第二有源线与形成所述栅电极之间，在所述第一有源线与所述栅电极之间形成栅绝缘层。

11.根据权利要求9所述的方法，还包括：

在形成所述栅电极与间隙填充所述第一绝缘层之间，在由所述栅电极暴露的所述第一有源线中形成轻掺杂漏极区。