[发明专利]具有穿通通孔和金属层的电连接的半导体装置及层叠方法

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

第一层叠芯片，包括：包括第一单元焊盘的第一金属层和包括第一单元焊盘和第二单元焊盘的第二金属层；以及

第二层叠芯片，包括：包括第一单元焊盘的第一金属层和包括第一单元焊盘和第二单元焊盘的第二金属层，

其中所述第一层叠芯片的第二金属层的第二单元焊盘布置在从所述第一层叠芯片的第二金属层的第一单元焊盘起的第一方向，且电耦合至所述第一层叠芯片的第二金属层的第一单元焊盘，

其中所述第二层叠芯片的第二金属层的第二单元焊盘布置在从所述第二层叠芯片的第二金属层的第一单元焊盘起的第一方向，且电耦合至所述第二层叠芯片的第二金属层的第一单元焊盘，以及

其中所述第二层叠芯片层叠于所述第一层叠芯片之上，且被配置为从所述第一层叠芯片的布置起沿所述第一方向移动与所述第一单元焊盘的长度相对应的预定距离，

其中所述第一层叠芯片还包括：

第一穿通通孔，其穿透所述第一层叠芯片而形成，且耦合至所述第一层叠芯片的第一金属层的第一单元焊盘；以及

第二穿通通孔，其穿透所述第一层叠芯片而形成，且耦合至所述第一层叠芯片的第二金属层的第一单元焊盘，以及

所述第一层叠芯片的第一穿通通孔与所述第二层叠芯片电断开。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其中所述第二层叠芯片还包括：

第一穿通通孔，其穿透所述第二层叠芯片而形成，且耦合至所述第二层叠芯片的第一金属层的第一单元焊盘；以及

第二穿通通孔，其穿透所述第二层叠芯片而形成，且耦合至所述第二层叠芯片的第二金属层的第一单元焊盘。

3.如权利要求2所述的半导体装置，其中所述第一层叠芯片的第二穿通通孔通过所述第一层叠芯片的第二金属层的第二单元焊盘电耦合至所述第二层叠芯片的第二穿通通孔。

4.如权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一层叠芯片和所述第二层叠芯片中的每个还包括第三金属层，所述第三金属层包括：

第一单元焊盘；

第二单元焊盘，其布置在相对应的金属层的第一单元焊盘的第一方向，且电耦合至所述相对应的金属层的第一单元焊盘；以及

第三单元焊盘，其布置在相对应的金属层的第一单元焊盘的第二方向，且电耦合至所述相对应的金属层的第一单元焊盘。

5.如权利要求4所述的半导体装置，还包括第三层叠芯片，所述第三层叠芯片包括：

第一金属层，包括第一单元焊盘；

第二金属层，包括第一单元焊盘和第二单元焊盘；以及

第三金属层，包括第一单元焊盘、第二单元焊盘和第三单元焊盘，

其中所述第三层叠芯片的第三金属层的第二单元焊盘布置在从所述第三层叠芯片的第二金属层的第一单元焊盘起的第一方向，且电耦合至所述第三层叠芯片的第二金属层的第一单元焊盘，

其中所述第三层叠芯片的第三金属层的第三单元焊盘布置在从所述第三层叠芯片的第三金属层的第一单元焊盘起的第二方向，且电耦合至所述第三层叠芯片的第三金属层的第一单元焊盘，以及

其中所述第三层叠芯片层叠于所述第二层叠芯片之上，以从所述第二层叠芯片的布置起沿所述第二方向移动预定距离。

6.如权利要求5所述的半导体装置，

其中所述第一层叠芯片还包括：第三穿通通孔，其穿透所述第一层叠芯片而形成，且耦合至所述第一层叠芯片的第三金属层的第一单元焊盘，

其中所述第二层叠芯片还包括：第三穿通通孔，其穿透所述第二层叠芯片而形成，且耦合至所述第二层叠芯片的第三金属层的第一单元焊盘，以及

其中所述第三层叠芯片还包括：第三穿通通孔，其穿透所述第三层叠芯片而形成，且耦合至所述第三层叠芯片的第三金属层的第一单元焊盘。

7.如权利要求6所述的半导体装置，其中所述第二层叠芯片的第二穿通通孔与所述第三层叠芯片电断开。

8.如权利要求6所述的半导体装置，其中所述第二层叠芯片的第三穿通通孔通过所述第二层叠芯片的第三金属层的第三单元焊盘电耦合至所述第三层叠芯片的第三穿通通孔。