[发明专利]一种显示装置及其制造方法在审
申请号: | 201510370267.4 | 申请日: | 2015-06-29 |
公开(公告)号: | CN104914615A | 公开(公告)日: | 2015-09-16 |
发明(设计)人: | 田允允;崔贤植 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | G02F1/1335 | 分类号: | G02F1/1335;G02F1/13363;G02F1/1333 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种显示装置,包括:金属图案,所述金属图案包含栅线的金属图案、数据线的金属图案和开关晶体管源漏极的金属图案,其特征在于,所述显示装置还包括:位于所述显示装置出光侧的偏振吸光层,所述偏振吸光层至少与所述金属图案的部分区域对应设置。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,所述显示装置还包括:
依次设置在所述偏振吸光层靠近所述开关晶体管一侧的二分之一波片和四分之一波片,其中,所述四分之一波片和所述二分之一波片至少设置于所述偏振吸光层所在区域。
3.根据权利要求1或2所述的显示装置,其特征在于,所述偏振吸光层的材料为聚合物液晶与二向色性染料的混合物,其中,所述聚合物液晶的重量百分比在60%至98%的范围内,所述二向色性染料的重量百分比在2%至40%的范围内。
4.根据权利要求3所述的显示装置,其特征在于,所述偏振吸光层的厚度为d=kλ/σ;其中,k为正整数,λ为由外界射入所述显示装置的光的波长,σ为所述聚合物液晶的折射率。
5.根据权利要求4所述的显示装置,其特征在于,所述偏振吸光层为偏光片。
6.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,所述显示装置还包括:相对设置的第一基板和第二基板,所述偏振吸光层位于所述第一基板和/或所述第二基板的相对的一侧。
7.根据权利要求1-6中任意一项所述的显示装置,其特征在于,所述显示装置为有机电激光显示装置,所述有机电激光显示装置还包括:与所述开关晶体管连接的有机发光二极管,所述有机发光二极管的电极为透明电极。
8.一种显示装置的制造方法,包括:在第一基板上形成金属图案,所述金属图案包含栅线的金属图案、数据线的金属图案和开关晶体管源漏极的金属图案,其特征在于,所述方法还包括:
在第一基板上形成偏振吸光材料层;
对所述偏振吸光材料层进行构图,形成偏振吸光层,所述偏振吸光层至少与所述金属图案的部分区域对应设置。
9.根据权利要求8所述的显示装置的制造方法,其特征在于,所述在第一基板上形成偏振吸光材料层的方法,具体包括:
在所述第一基板的内表面上形成所述偏振吸光材料层;或者,
在形成所述金属图案后的第一基板上,形成所述偏振吸光材料层。
10.根据权利要求8或9所述的显示装置的制造方法,其特征在于,所述方法还包括:
在所述第一基板的内表面上形成所述偏振吸光层之后,在所述偏振吸光层上依次形成二分之一波片层和四分之一波片层;对所述二分之一波片层和所述四分之一波片层进行构图,形成二分之一波片和四分之一波片,其中,所述二分之一波片和所述四分之一波片至少设置于所述偏振吸光层所在区域;或者,
在形成所述金属图案后的第一基板上,形成所述偏振吸光层之前,在所述金属图案上依次形成四分之一波片层和二分之一波片层;对所述四分之一波片层和所述二分之一波片层进行构图,形成四分之一波片和二分之一波片,其中,所述二分之一波片和所述四分之一波片至少设置于所述偏振吸光层所在区域。
11.根据权利要求8-10中任意一项所述的显示装置的制造方法,其特征在于,所述偏振吸光层的材料为聚合物液晶与二向色性染料的混合物,其中,所述聚合物液晶的重量百分比在60%至98%的范围内,所述二向色性染料的重量百分比在2%至40%的范围内。
12.根据权利要求11所述的显示装置的制造方法,其特征在于,所述偏振吸光层的厚度为d=kλ/σ;其中,k为正整数,λ为由外界射入所述显示装置的光的波长,σ为所述聚合物液晶的折射率。
13.根据权利要求12所述的显示装置的制造方法,其特征在于,所述偏振吸光层为偏光片。
14.根据权利要求8-13中任意一项所述的显示装置的制造方法,其特征在于,所述显示装置为有机电激光显示装置,所述方法还包括:
在形成所述金属图案后的第一基板上,设置有机发光二极管,其中,所述有机发光二极管与所述开关晶体管连接,所述有机发光二极管的电极为透明电极。
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