[发明专利]发光元件

权利要求书

1.一种发光元件，其特征为，该发光元件包括：

基板，其具有一表面；

第一金属层，其形成于该基板的该表面上，并包括覆盖该表面的第一金属部和第二金属部以及形成于该第一金属部和该第二金属部之间用以外露部分该表面的开口部；

有机材料层，其形成于该第一金属部、该第二金属部、及由该开口部所外露的部分该表面上；以及

第二金属层，其形成于该有机材料层上，以使该有机材料层介于该第一金属层与该第二金属层之间，

其中，由该有机材料层所发出的光线的峰值波长在第一范围，该第一金属部与该第二金属层之间产生第一等离子体耦合以使该光线的峰值波长自该第一范围位移至第二范围，且该第二金属部与该第二金属层之间产生第二等离子体耦合以使该光线的峰值波长自该第一范围位移至第三范围。

2.如权利要求1所述的发光元件，其特征为，不同的该第一金属部的厚度、不同的该第二金属层的厚度、或不同的该第一金属部与该第二金属层之间的距离，能使该光线的峰值波长位移至该第二范围中不同的数值，且不同的该第二金属部的厚度、不同的该第二金属层的厚度、或不同的该第二金属部与该第二金属层之间的距离，能使该光线的峰值波长位移至该第三范围中不同的数值。

3.如权利要求1所述的发光元件，其特征为，该光线的波长涵盖可见光波段，该第一范围在495nm-570nm，该第二范围在570nm-750nm，该第三范围在380nm-495nm，该第一金属部的厚度在5nm-20nm且该第一金属部与该第二金属层之间的距离在75nm-150nm，该第二金属部的厚度在5nm-20nm且该第二金属部与该第二金属层之间的距离在75nm-150nm，其中该第二金属部的厚度大于该第一金属部的厚度或该第二金属部与该第二金属层之间的距离小于该第一金属部与该第二金属层之间的距离。

4.如权利要求1所述的发光元件，其特征为，该光线的波长涵盖紫外光至红外光波段，该第一范围在570nm-750nm，该第二范围大于该第一范围且小于1240nm，该第三范围小于该第一范围且大于305nm，该第一金属部和第二金属部的厚度在5nm-20nm，该第一金属部与该第二金属层之间的距离在150nm-1000nm，该第二金属部与该第二金属层之间的距离在30nm-75nm。

5.如权利要求1所述的发光元件，其特征为，该基板的材料为玻璃、塑胶或导电金属氧化物。

6.如权利要求1所述的发光元件，其特征为，该基板或该第一金属层作为阳极，该第二金属层作为阴极，且该有机材料层包括自该阳极依序堆迭至该阴极的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层及电子注入层。

7.如权利要求1所述的发光元件，其特征为，该第一金属层及该第二金属层由金属或纳米金属氧化物所构成。

8.如权利要求1所述的发光元件，其特征为，该第一金属层为图案化金属层或网格状金属层。

9.如权利要求1所述的发光元件，其特征为，该第一范围为绿光波段，该第二范围为红光波段，该第三范围为蓝光波段，供该发光元件发出由绿光、红光及蓝光所组成的白光，并藉由调整该第一金属部覆盖该表面的面积、该第二金属部覆盖该表面的面积、及该开口部所外露该表面的面积，能改变该绿光、该红光及该蓝光的比例。

10.如权利要求1所述的发光元件，其特征为，该第一金属部及该第二金属部构成多个周期性结构，以使峰值波长在该第一范围、第二范围或该第三范围的光线产生增益，该周期性结构的尺寸介于40nm-437nm且周期介于50nm-965nm。

11.一种发光元件，其特征为，该发光元件包括：

基板；

第一金属层，其形成于该基板上；

有机材料层，其形成于该第一金属层上以使该第一金属层介于该基板与该有机材料层之间；以及

第二金属层，其形成于该有机材料层上以使该有机材料层介于该第一金属层与该第二金属层之间，

其中，该第一金属层的厚度在5nm-20nm，且该第一金属层与该第二金属层间的距离在75nm-150nm，由该有机材料层所发出的光线的峰值波长在第一范围，且该第一金属层与该第二金属层之间产生一等离子体耦合以使该光线的峰值波长自该第一范围位移至第二范围。