[发明专利]一种藻类细胞的培养方法有效
申请号: | 201510372089.9 | 申请日: | 2015-06-29 |
公开(公告)号: | CN104962474B | 公开(公告)日: | 2019-06-21 |
发明(设计)人: | 冯倩;张凯 | 申请(专利权)人: | 新奥科技发展有限公司 |
主分类号: | C12N1/12 | 分类号: | C12N1/12 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 065001 河北省廊坊市经济*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 藻类 细胞 培养 方法 | ||
1.一种藻类细胞的培养方法,其特征在于,所述藻类细胞的培养方法包括:
对第一藻丝进行减短处理,获得长度小于所述第一藻丝的第二藻丝,所述第一藻丝和所述第二藻丝由藻类细胞构成;
将所述第二藻丝接种在支撑层上,获得附着在所述支撑层上的藻类细胞层;
对所述藻类细胞层中所述第二藻丝中的藻类细胞进行培养;
所述减短处理为自然减短处理,所述自然减短处理包括:
向所述第一藻丝提供培养基、二氧化碳气体和光照,并使所述二氧化碳气体的通气比大于预设的第一通气比,和/或使所述光照的光照强度大于预设的第一光照强度,以使所述第一藻丝生长并分裂为多个所述第二藻丝;
所述预设的第一通气比为藻类细胞正常生长所需的通气比;所述预设的第一光照强度为藻类细胞正常生长所需的光照强度;
所述对所述藻类细胞层中所述第二藻丝中的藻类细胞进行培养具体包括:
向所述藻类细胞层提供培养基、二氧化碳气体及光照,并使所述光照的光照强度大于第二光照强度,以使所述第二藻丝中的藻类细胞生长;
所述第二光照强度低于藻类细胞正常生长所需的光照强度;
当所述藻类细胞层中产生鼓泡时,对位于所述鼓泡处的所述第二藻丝进行剪裁、切割或采收,以使所述鼓泡消失。
2.根据权利要求1所述的藻类细胞的培养方法,其特征在于,所述第二藻丝的长度为所述第一藻丝的长度的1/5-1/2。
3.根据权利要求1所述的藻类细胞的培养方法,其特征在于,在所述对所述第一藻丝进行减短处理后,所述将所述第二藻丝接种在所述支撑层上前,还包括:
向所述第二藻丝提供培养基、二氧化碳气体和光照,并使所述二氧化碳气体的通气比小于预设的第二通气比,和/或使所述光照的光照强度小于预设的第二光照强度,以使在所述第二藻丝中因所述减短处理而受到损伤的藻类细胞的活性得到恢复;
所述第二通气比低于藻类细胞正常生长所需的通气比;
所述第二光照强度低于藻类细胞正常生长所需的光照强度。
4.根据权利要求1所述的藻类细胞的培养方法,其特征在于,所述对所述藻类细胞层中所述第二藻丝中的藻类细胞进行培养还包括:
当所述藻类细胞层中的所述第二藻丝的长度大于第一藻丝的平均长度时,对长度大于所述预设长度的所述第二藻丝进行剪裁、切割或采收。
5.根据权利要求1所述的藻类细胞的培养方法,其特征在于,所述对所述藻类细胞层中所述第二藻丝中的藻类细胞进行培养还包括:
当所述藻类细胞层中的所述第二藻丝的长度大于第一藻丝的平均长度时,对所述藻类细胞层中的全部所述第二藻丝进行采收;
使全部所述第二藻丝均匀混合,然后将全部所述第二藻丝接种在所述支撑层上;
对接种在所述支撑层上的所述第二藻丝中的藻类细胞进行培养。
6.根据权利要求5所述的藻类细胞的培养方法,其特征在于,在所述对所述藻类细胞层中的全部所述第二藻丝进行采收后,所述使全部所述第二藻丝均匀混合前,所述对所述藻类细胞层中所述第二藻丝中的藻类细胞进行培养还包括:
对全部所述第二藻丝中长度大于第一藻丝的平均长度的所述第二藻丝进行所述减短处理。
7.根据权利要求1所述的藻类细胞的培养方法,其特征在于,所述对所述藻类细胞层中所述第二藻丝中的藻类细胞进行培养还包括:
当所述藻类细胞层中产生鼓泡时,对所述藻类细胞层中的全部所述第二藻丝进行采收;
使全部所述第二藻丝均匀混合,然后将全部所述第二藻丝接种在所述支撑层上;
对接种在所述支撑层上的所述第二藻丝中的藻类细胞进行培养。
8.根据权利要求7所述的藻类细胞的培养方法,其特征在于,在所述对所述藻类细胞层中的全部所述第二藻丝进行采收后,所述使全部所述第二藻丝均匀混合前,所述对所述藻类细胞层中所述第二藻丝中的藻类细胞进行培养还包括:
对全部所述第二藻丝中长度大于第一藻丝的平均长度的所述第二藻丝进行所述减短处理。
9.根据权利要求1-2任一项所述的藻类细胞的培养方法,其特征在于,在所述将所述第二藻丝接种在所述支撑层上前,所述藻类细胞的培养方法还包括:
搭建所述支撑层;
设置培养基储存容器,所述培养基储存容器内储存有所述培养基;
在所述支撑层和所述培养基储存容器之间设置培养基输送装置,以使所述培养基储存容器向所述支撑层提供所述培养基,且使所述支撑层向所述培养基储存容器返回未被消耗的所述培养基。
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