[发明专利]一种烤烟膜下井窖式小苗移栽方法

说明书

技术领域

本发明属于烟草栽培领域，具体来说涉及一种烤烟膜下井窖式小苗移栽方法。

背景技术

传统的膜下小苗移栽，需要打大穴，耗时费工。井窖式移栽需要根据烟区适宜稳定的气温条件选择最佳移栽期，高中低海拔烟区移栽时间各不相同，尤其是高海拔烟区移栽时间偏晚，影响烤烟生长大田中后期管理及烘烤、收购进度。

发明内容

本发明要解决的问题是提供一种烤烟膜下井窖式小苗移栽方法。

本发明一种烤烟膜下井窖式小苗移栽方法，其特征在于包括以下步骤：

a、施肥起垄：在移栽前10天，将100％的农家肥、有机肥、磷肥和60-70％的氮肥、钾肥作基肥条施于垄底，施肥深度15cm以上，宽度20cm以上，使肥料呈宽带状，提高肥料利用率；起垄必须实行牵线划行，旱地垄高25cm，水田垄高30cm，垄面宽30-35cm，垄底宽80-90cm，垄土细碎、垄面平整，垄顶呈龟背型；同时，开好排水沟，做到排水通畅，无积水；

b、烟苗移栽：使用打孔机制作井窖，打孔机使用钻头直径9cm，总长20cm，上部长11cm，按株距60cm在垄体上打井窖，井窖口呈圆形，直径10-15cm，深度19-21cm，井窖上部11-13cm呈筒型，下部6-8cm呈锥形；烟苗苗龄40-45天，茎高3-4cm，4-5片真叶，烟苗移栽中需选好苗，要挑选大小均匀一致、长势健壮、无病虫害的小壮苗，尽量不选用高脚苗、过大过小苗、变异苗，杜绝根系不发达导致基质都带不起的烟苗进烟田；烟苗移栽中需选好苗带足土，烟苗移栽井窖，带入适量陪嫁土，确保烟苗根系基质全部覆盖，烟苗根部与土、水充分结合；下雨天、大晴天要到烟地检查，放入陪嫁土覆盖烟苗根系基质，使烟株根系与土充分结合，栽后烟苗距井口6-8cm，肥水不能直接接触烟苗，浇于井窖内壁周围土壤，以防肥水灼伤烟苗；

c、覆膜：在移栽当天要盖好地膜，可边栽边覆膜，也可栽完一行后覆膜；确保垄面平整，地膜贴紧垄体，用细土压实膜边，严防扎破膜边，若扎破膜面用土压实；

d、移栽后管理：烟苗移栽覆膜后，及时在烟株上方打洞，降温排湿，注意防止洞口被破损地膜堵塞，在烟苗上方薄膜呈“品字型”开三个直径2cm的通气孔，移栽后10-15天，气温回升加快，烟株生长也较快，当烟苗顶部基本与地膜接触，且日平均温度稳定在13℃时，要结合第一次追施提苗肥，根据烟株长势及天气变化及时破膜露苗，防止膜内温度过高或叶片接触地膜，致使叶片、苗心严重烫伤乃至死亡，膜口直径20-25cm，以烟株叶片不接触地膜为宜，追肥液要顺井壁淋施，以防肥液接触叶片和苗心；

e、覆土封井：在移栽18-20天或烟株生长点苗心高出垄面2-3cm，在烟苗基部先覆盖剩余陪嫁土，再用土将井窖填满密封。

本发明是在井窖式小苗移栽方法的基础上，改覆膜打孔移栽为打孔移栽覆膜的方式，就是把相对较小的烟苗移栽于井窖之内、地膜之下，在膜上打小洞，降温排湿，使小苗在膜下井窖内生长，躲避移栽前期不利气候，提早移栽季节。膜下井窖内温度大约是大气温度的1～2倍。大气温度18～20℃时，膜上打小孔井窖中，井窖底部(烟苗根部)温度30℃，井窖中部(烟苗叶部)温度35℃，井窖口温度38℃。膜下温度达到大气温度的1～2倍，可以避免移栽前期低温对烟苗生长的不利影响，确保烟苗生长所需环境。

本发明一种烤烟膜下井窖式小苗移栽方法解决高山烟区移栽环节前期低温不利因素影响的问题；提早移栽季节，解决移栽时间偏晚造成的烟叶生育期短、品质不佳等问题；有利于提高移栽技术规范，促进烟株田间长势整齐一致。

本方法一种烤烟膜下井窖式小苗移栽方法是将烤烟膜下栽培与井窖式移栽技术要点融为一体，把井窖式移栽方法中覆膜打孔移栽变为打孔移栽覆膜。优点是能充分利用地膜下、井窖内产生的光、水、肥、气、热、土等自然优势，克服前期低温、干旱等不利因素对烤烟移栽的影响，缩小高海拔与中低海拔烟区移栽时间的差距；缩短育苗时间，减少剪叶环节的投入及感病机会，减少育苗成本和设施投入，提高育苗设施综合利用率；实现烟苗深栽，促进烟株根系早生长发育，提高肥料利用率和烟株抗逆性；使烤烟大田生育期前移，促进烟株早生快发，减少烤烟成熟期低温高湿等不利气候及病害高发造成的经济损失，实现早成熟，早采收，提高烟叶产质量，增加经济效益。