[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

包括晶体管的驱动电路部；以及

包括电容器的像素部，

其中，所述晶体管包括：

第一电极层；

所述第一电极层上的第一绝缘层；

所述第一绝缘层上的氧化物半导体层；

所述氧化物半导体层上的第二电极层和第三电极层；

所述第二电极层、所述第三电极层和所述氧化物半导体层上且与所述第二电极层、所述第三电极层和所述氧化物半导体层接触的第二绝缘层；以及

所述第二绝缘层上的透明导电层，

其中，所述电容器包括：第一电极、所述第一电极上的第二电极以及所述第一电极与所述第二电极之间的电介质，

其中，所述第二电极是与所述透明导电层相同的材料，并且

其中，所述氧化物半导体层的晶化率为80％以上。

2.一种半导体装置，包括：

包括晶体管的驱动电路部；

包括电容器及像素电极层的像素部；

所述像素电极层上的第一取向膜；以及

所述第一取向膜上的液晶层，

其中，所述晶体管包括：

第一电极层；

所述第一电极层上的第一绝缘层；

所述第一绝缘层上的氧化物半导体层；

所述氧化物半导体层上的第二电极层和第三电极层；

所述第二电极层、所述第三电极层和所述氧化物半导体层上且与所述第二电极层、所述第三电极层和所述氧化物半导体层接触的第二绝缘层；以及

所述第二绝缘层上的透明导电层，

其中，所述电容器的靠近所述液晶层的一侧的电极是与所述透明导电层相同的材料，并且

其中，所述氧化物半导体层的晶化率为80％以上。

3.一种半导体装置，包括：

包括晶体管的驱动电路部；

包括电容器的像素部；以及

第一布线和第二布线，

其中，所述晶体管包括：

第一电极层；

所述第一电极层上的第一绝缘层；

所述第一绝缘层上的氧化物半导体层；

所述氧化物半导体层上的第二电极层和第三电极层；

所述第二电极层、所述第三电极层和所述氧化物半导体层上且与所述第二电极层、所述第三电极层和所述氧化物半导体层接触的第二绝缘层；以及

所述第二绝缘层上的透明导电层，

其中，所述第一布线是与所述第一电极层相同的材料，

其中，所述第二布线是与所述第二电极层和所述第三电极层相同的材料，

其中，所述电容器包括：所述第一布线的一部分作为第一电极、所述第一布线的所述一部分上的第二电极以及所述第一布线的所述一部分与所述第二电极之间的电介质，

其中，所述第二电极是与所述透明导电层相同的材料，并且

其中，所述氧化物半导体层的晶化率为80％以上。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述电容器的所述第一电极是与所述第一电极层相同的材料。

5.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，其中，所述氧化物半导体层包括铟、镓和锌。

6.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，其中，所述氧化物半导体层包括铟、锡和锌。

7.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，其中，所述透明导电层包括铟和锌。

8.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，其中，所述透明导电层电连接至所述第一电极层。

9.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，其中，所述第一绝缘层使用氧化硅层、氧氮化硅层或氧化铝层的单层或叠层形成。

10.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，其中，所述氧化物半导体层包括沟道形成区、源区和漏区，并且，所述沟道形成区的载流子浓度低于所述源区和所述漏区的载流子浓度。