[发明专利]带有有效开关的电路在审

专利信息
申请号: 201510373706.7 申请日: 2015-06-30
公开(公告)号: CN105322928A 公开(公告)日: 2016-02-10
发明(设计)人: 迈克尔·沃特伯格 申请(专利权)人: 利萨·德雷克塞迈尔有限责任公司
主分类号: H03K17/08 分类号: H03K17/08;H03K17/567;H03K17/687
代理公司: 北京泛诚知识产权代理有限公司 11298 代理人: 杨本良;文琦
地址: 德国菲*** 国省代码: 德国;DE
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摘要:
搜索关键词: 带有 有效 开关 电路
【权利要求书】:

1.一种电路,包括:

串联电路,该串联电路包括p型半导体(T1)和附加的元件(D1);

调节电路(T2、R7、R1、R3-R6),其中,所述调节电路由在所述串联电路(T1、D1)处下降的电压供应。

2.根据权利要求1所述的电路,其中,所述调节电路(T2、R7、R1、R3-R6)安置成使得p型半导体(T1)保持在待用模式中,直到穿过p型半导体(T1)的电流达到和/或超过预定的阈值。

3.根据权利要求2所述的电路,其中,所述调节电路安置成使得在穿过p型半导体(T1)的电流达到和/或超过预定的阈值之后,p型半导体(T1)保持自保持地关断。

4.根据权利要求1所述的电路,其中,所述附加元件至少包括以下中的一个:

二极管;

肖特基二极管;

齐纳二极管;

欧姆电阻。

5.根据上述权利要求之一所述的电路,其中,所述调节电路在所述p型半导体边上与电源线连接。

6.根据上述权利要求之一所述的电路,其中,所述串联电路在所述附加元件的边上利用导线(R8)与用电器(R10)连接。

7.根据上述权利要求之一所述的电路,其中,所述p型半导体包括以下半导体中的至少一个:

半导体开关;

功率半导体开关;

晶体管;

金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET);

P沟道金属氧化物半导体(PMOS);

绝缘栅双极型晶体管(IGBT);

结型场效应晶体管(JFET)。

8.根据上述权利要求之一所述的电路,其中,所述调节电路(T2、R7、R1、R3-R6)布置成与p型半导体和附加元件组成的所述串联电路并联。

9.根据权利要求8所述的电路,其中,所述调节电路具有半导体开关(T2),该半导体开关的操作点关于包括至少一个电阻的电阻网络是能够调节的。

10.根据权利要求9所述的电路,其中,所述半导体开关(T2)是晶体管,特别是双极型晶体管,其中确定电阻网络的尺寸为使得当在p型半导体和附加元件组成的串联电路处的电压降大于预定的阈值时,半导体开关是导通的,结果驱动p型半导体使得p型半导体自保持地关断。

11.根据权利要求8至10之一所述的电路,其中所述调节电路具有温度补偿电路(R4-R6)。

12.根据上述权利要求之一所述的电路,包括检测电路(T3,R11-R15),该检测电路布置成与由p型半导体和附加元件组成的串联电路并联。

13.根据上述权利要求之一所述的电路,包括控制电路,借助于该控制电路驱动所述电路,使得p型半导体转换为不是导通的就是不导通的。

14.根据权利要求13所述的电路,包括功率开关(101、103、105),该功率开关布置成与由p型半导体和附加元件组成的串联电路并联,其中借助于控制电路(111)驱动所述功率开关。

15.根据上述权利要求之一所述的电路,其中,在待用模式下的p型半导体是导通的。

16.根据权利要求15所述的电路,其中,所述待用模式是系统的待用模式,该系统具有多个用电器,其中,所述电路至少给系统的待用模式中的至少一个用电器供应电能。

17.根据权利要求16所述的电路,其中所述系统包括车辆中的电子系统。

18.一种用于车辆中的箝位电路的电子开关,包括至少一个根据上述权利要求之一所述的电路。

19.一种车辆,带有至少一个根据权利要求18所述的电子开关。

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