[发明专利]一种半导体封装方法

权利要求书

1.一种半导体封装方法，其特征在于，包括以下步骤：

a)制作高引脚的金属框架(1)；

b)将所述金属框架(1)与芯片(3)背面粘接；

c)将所述金属框架(1)的引脚与所述芯片(3)正面的门极通过焊线(4)倒打线的方式焊接；d)将所述金属框架(1)的引脚和芯片(3)正面的圆区与金属片(6)桥接；

其中，所述倒打线的方式用于降低所述焊线(4)的弧高。

2.如权利要求1所述的半导体封装方法，其特征在于，在制作高引脚金属框架(1)的步骤中，金属框架的引脚高度大于芯片的厚度。

3.如权利要求1或2所述的半导体封装方法，其特征在于，在所述金属框架(1)与芯片(3)的背面粘接的步骤中，粘接方式为在所述金属框架(1)表面涂助焊剂(2)再回流焊。

4.如权利要求1或2所述的半导体封装方法，其特征在于，在所述金属框架(1)与芯片(3)背面粘接的步骤中，粘接方式为在所述金属框架(1)表面刷粘片胶(7)再烘烤。

5.如权利要求1所述的半导体封装方法，其特征在于，在所述金属框架(1)的其他引脚和芯片(3)正面的圆区与金属片(6)桥接的步骤之前，还包括在：在金属片(6)的下面设置强介电材料(5)。

6.如权利要求1所述的半导体封装方法，其特征在于，所述金属片(6)材质为铜、铝等金属。

7.如权利要求1所述的半导体封装方法，其特征在于，所述金属片(6)放置的位置与金属框架(1)的位置相对应，覆盖在所述芯片(3)正面以及所述金属框架(1)的引脚之上。

8.如权利要求1或2所述的半导体封装方法，其特征在于，在所述金属框架(1)的引脚和芯片(3)正面的圆区与金属片(6)桥接的步骤中，将所述金属框架(1)的其他引脚和芯片(3)正面的圆区与金属片(6)桥接。

9.如权利要求8所述的半导体封装方法，其特征在于，在所述金属框架(1)的引脚和芯片(3)正面的圆区与金属片(6)桥接的步骤中，所述金属框架(1)的其他引脚和芯片(3)正面的圆区与金属片(6)桥接的方式为，在所述金属框架(1)的其他引脚和所述芯片(3)正面刷一层助焊剂(2)，然后进行回流焊。

10.如权利要求1所述的半导体封装方法，其特征在于，所述金属框架(1)材质为铜、铝、银或合金。

11.如权利要求1所述的半导体封装方法，其特征在于，所述焊线(4)的材质为金、铜或合金。

12.如权利要求1所述的半导体封装方法，其特征在于，所述金属片(6)的材质为铜、铝或合金，形状为平板状。