[发明专利]太阳能电池外延片及其制作方法有效
申请号: | 201510375149.2 | 申请日: | 2015-06-30 |
公开(公告)号: | CN105140318B | 公开(公告)日: | 2017-05-17 |
发明(设计)人: | 黄添懋;杨晓杰;刘凤全;叶继春 | 申请(专利权)人: | 苏州强明光电有限公司 |
主分类号: | H01L31/0304 | 分类号: | H01L31/0304;H01L31/18 |
代理公司: | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司11250 | 代理人: | 张建纲 |
地址: | 215614 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能电池 外延 及其 制作方法 | ||
1.一种太阳能电池外延片,包括依次设置的衬底(1)、缓冲层(2)、牺牲层(3)和太阳能电池层(4),其特征在于,所述牺牲层(3)至少包括第一牺牲层(31)和第二牺牲层(32),所述第一牺牲层(31)紧贴所述缓冲层(2)设置,所述第二牺牲层(32)紧贴所述第一牺牲层(31)设置,所述第一牺牲层(31)的被腐蚀速度大于所述第二牺牲层(32)的被腐蚀速度;
在所述第一牺牲层(31)上分布有多个相互平行的条形凹槽(311),所述第二牺牲层(32)上具有多个与所述条形凹槽(311)紧密配合的条形凸起(321);和/或,
在所述第一牺牲层(31)上分布有多个孔(312),所述孔(312)位于相互平行的多条直线上,位于同一直线上的相邻两个所述孔(312)之间的距离小于0.5毫米,所述第二牺牲层(32)上具有多个与所述孔(312)紧密配合的凸起(322)。
2.如权利要求1所述的太阳能电池外延片,其特征在于,所述第一牺牲层(31)的材料为AlxGa1-xAs,所述第二牺牲层(32)的材料为AlyGa1-yAs,且x>y。
3.如权利要求2所述的太阳能电池外延片,其特征在于,所述第一牺牲层(31)的AlxGa1-xAs材料中x为0.7~1,所述第二牺牲层(32)的AlyGa1-yAs材料中y为0.6~0.7。
4.如权利要求1-3中任一项所述的太阳能电池外延片,其特征在于:
所述衬底(1)的对侧具有两个相互平行的切边(11);
所述条形凹槽(311)垂直于所述衬底(1)的两个切边(11);
所述孔(312)所在的直线垂直于所述衬底(1)的两个切边(11)。
5.如权利要求1-3中任一项所述的太阳能电池外延片,其特征在于,所述条形凹槽(311)的宽度为0.5~2毫米,所述孔(312)为圆孔,其内径为0.5~2毫米,相邻两个所述条形凹槽(311)之间距离为5~20毫米,所述孔(312)所在的相邻两条平行直线之间的距离为5~20毫米。
6.如权利要求1-3中任一项所述的太阳能电池外延片,其特征在于,所述第一牺牲层(31)和所述第二牺牲层(32)的总厚度为0.5~8微米,且所述第一牺牲层(31)和所述第二牺牲层(32)的厚度比为3~5:1。
7.如权利要求1所述的太阳能电池外延片,其特征在于,所述条形凹槽(311)纵截面为上方开口的方形或梯形或弧形或U形,所述孔(312)为圆柱形、长方体形、圆锥形、棱锥形、圆台形或棱台形。
8.一种太阳能电池外延片的制作方法,其特征在于,包括以下步骤:
在衬底(1)上外延生长缓冲层(2);
在所述缓冲层(2)上外延生长第一牺牲层(31);
在所述第一牺牲层(31)上制作出多个相互平行的条形凹槽(311)和/或位于相互平行的多条直线上的多个孔(312),位于同一条直线上的相邻两个所述孔(312)之间的距离小于0.5毫米;
在所述第一牺牲层(31)上外延生长第二牺牲层(32),所述第二牺牲层(32)紧贴所述第一牺牲层(31),且所述第二牺牲层(32)上形成与所述条形凹槽(311)紧密配合的条形凸起(321)和/或与所述孔(312)紧密配合的凸起(322),所述第一牺牲层(31)被腐蚀速度大于所述第二牺牲层(32)的被腐蚀速度;
在所述第二牺牲层(32)上外延生长太阳能电池层(4)制作出太阳能电池外延片。
9.如权利要求8所述的太阳能电池外延片的制作方法,其特征在于,在所述第一牺牲层(31)上制作出多个相互平行的所述条形凹槽(311)和/或位于相互平行的多条直线上的多个所述孔(312)利用的是干法刻蚀工艺、或利用的是光刻和湿法腐蚀工艺,外延生长所述缓冲层(2)、所述第一牺牲层(31)、所述第二牺牲层(32)和所述太阳能电池层(4)采用的是金属有机化合物化学气相外延技术。
10.如权利要求8所述的太阳能电池外延片的制作方法,其特征在于,所述第一牺牲层(31)的厚度为0.4~6.4微米,所述第二牺牲层(32)的厚度为0.1~1.6微米,所述第一牺牲层(31)和所述第二牺牲层(32)的总厚度为0.5~8微米,且所述第一牺牲层(31)和所述第二牺牲层(32)的厚度比为3~5:1。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州强明光电有限公司,未经苏州强明光电有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510375149.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的