[发明专利]快闪存储器晶片测试方法以及中测台

权利要求书

1.一种快闪存储器晶片测试方法，其特征在于，所述的快闪存储器晶片测试方法包括：

对一快闪存储器晶片上的多个快闪存储器芯片施行控制信号线耐受度模拟，是对所述多个快闪存储器芯片的字线、或位线、或字线与位线两者进行耐受度模拟；

以N次回圈反复程序化以及抹除所述多个快闪存储器芯片；以及

在施行所述控制信号线耐受度模拟之后、以及N次回圈反复程序化以及抹除所述多个快闪存储器芯片之前，更对所述多个快闪存储器芯片作回烤修复。

2.根据权利要求1所述的快闪存储器晶片测试方法，其特征在于，在一第一环境温度对所述多个快闪存储器芯片施行所述控制信号线耐受度模拟，且在一第二环境温度以N次回圈反复程序化以及抹除对所述多个快闪存储器芯片，其中，所述第一环境温度高于所述第二环境温度。

3.根据权利要求1所述的快闪存储器晶片测试方法，其特征在于，所述的快闪存储器晶片测试方法包括：

在所述多个快闪存储器芯片中的一快闪存储单元的一字线端以及一基板端供应一第一电压差，作字线的耐受度模拟，

其中，所述第一电压差大于N次回圈中抹除所述多个快闪存储器芯片时施加于所述快闪存储单元的所述字线端以及所述基板端之间的一第二电压差。

4.根据权利要求3所述的快闪存储器晶片测试方法，其特征在于：

所述第一电压差的供应时间长于所述第二电压差。

5.根据权利要求1所述的快闪存储器晶片测试方法，其特征在于，所述的快闪存储器晶片测试方法包括：

在所述多个快闪存储器芯片中的一快闪存储单元的一位线端供应一第一程序化电位，作位线的耐受度模拟，

其中，所述第一程序化电位大于N次回圈中程序化所述多个快闪存储器芯片时施加于所述快闪存储单元的所述位线端的一第二程序化电位。

6.根据权利要求5所述的快闪存储器晶片测试方法，其特征在于：

所述第一程序化电位是以多个脉冲型式供应。

7.一种快闪存储器晶片中测台，其特征在于，所述的快闪存储器晶片中测台包括：

一探针模块；以及

一微型计算机，操作所述探针模块对一快闪存储器晶片上的多个快闪存储器芯片施行控制信号线耐受度模拟，且更操作所述探针模块以N次回圈反复程序化以及抹除所述多个快闪存储器芯片，

其中：

所述控制信号线耐受度模拟施行之后、且所述N次回圈反复程序化以及抹除所述多个快闪存储器芯片施行之前，所述多个快闪存储器芯片经回烤修复；且

所述控制信号线耐受度模拟是对所述多个快闪存储器芯片的字线、或位线、或字线与位线两者进行耐受度模拟。

8.根据权利要求7所述的快闪存储器晶片中测台，其特征在于，所述的快闪存储器晶片中测台更包括：

一温度调节器，

其中，所述微型计算机包括操作所述温度调节器使所述控制信号线耐受度模拟施行在一第一环境温度下，且使N次回圈反复程序化以及抹除对所述多个快闪存储器芯片施行在一第二环境温度下，其中，所述第一环境温度高于所述第二环境温度。

9.根据权利要求7所述的快闪存储器晶片中测台，其特征在于：

所述微型计算机更操作所述探针模块在所述多个快闪存储器芯片中的一快闪存储单元的一字线端以及一基板端供应一第一电压差，作字线的耐受度模拟；且

所述第一电压差大于N次回圈中抹除所述多个快闪存储器芯片时施加于所述快闪存储单元的所述字线端以及所述基板端之间的一第二电压差。

10.根据权利要求9所述的快闪存储器晶片中测台，其特征在于：

所述第一电压差的供应时间长于所述第二电压差。