[发明专利]一种纳米压痕法测定无残余应力薄膜的方法在审

专利信息
申请号: 201510375356.8 申请日: 2015-07-01
公开(公告)号: CN105043869A 公开(公告)日: 2015-11-11
发明(设计)人: 苏建丽 申请(专利权)人: 青岛文创科技有限公司
主分类号: G01N3/08 分类号: G01N3/08
代理公司: 北京一格知识产权代理事务所(普通合伙) 11316 代理人: 钟廷良
地址: 266061 山东省青岛市崂山*** 国省代码: 山东;37
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摘要:
搜索关键词: 一种 纳米 压痕 测定 残余 应力 薄膜 方法
【权利要求书】:

1.一种纳米压痕法测定无残余应力薄膜的方法,其特征在于:将制备获得的无应力试样薄膜与没有去除基底的薄膜试样进行纳米压痕试验,得到薄膜试样的压痕数据,再利用Suresh理论模型进行计算。

2.根据权利要求1所述的纳米压痕法测定无残余应力薄膜的方法,其特征在于:所述无残余应力薄膜的制备方法如下:

(1)利用PVD或CVD薄膜溅射或者沉积在NaCl单晶晶体上;

(2)将薄膜试样置于薄膜支架上;

(3)将带有试样的薄膜支架放置于能够溶解晶体的溶液中并使晶体溶解;

(4)干燥、固定薄膜试样,得无残余应力薄膜。

3.根据权利要求2所述的无残余应力薄膜的制备方法,其特征在于:所述能够溶解晶体的溶液为去离子水与乙醇按体积比为1~7︰3~10混合的溶液。

4.根据权利要求2所述的无残余应力薄膜的制备方法,其特征在于:所述能够溶解晶体的溶液为去离子水与乙醇按体积比为5︰10混合的溶液。

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