[发明专利]金属氧化物金属电容器制作方法

权利要求书

1.一种金属氧化物金属电容器制作方法，其特征在于包括：

第一步骤：形成第一层低K介质层；

第二步骤：对所述第一层低K介质层进行第一光刻刻蚀工艺以便在所述第一层低K介质层中形成第一电容区沟槽；

第三步骤：在所述第一电容区沟槽中填充金属铜以形成第一层金属铜；

第四步骤：在所述第一层低K介质层上沉积第一刻蚀阻挡层，并且在所述第一刻蚀阻挡层上沉积低K材料作为第二层低K介质层；

第五步骤：对所述第二层低K介质层进行第二光刻刻蚀工艺以便在所述第二层低K介质层中形成用于MIM电容区域的第二电容区沟槽，并且使得第二光刻刻蚀工艺终止在第一刻蚀阻挡层上；

第六步骤：在所述电容区沟槽中填充高K材料作为MIM电容的介质层；

第七步骤：在第二层低K介质层上沉积第二刻蚀阻挡层，并且在所述第二刻蚀阻挡层上沉积低K材料作为第三层低K介质层；

第八步骤：在对所述第三层低K介质层进行第三光刻刻蚀工艺以便在所述第三层低K介质层中形成用于MIM电容区域的第三电容区沟槽，并且使得第三光刻刻蚀工艺终止在所述第二刻蚀阻挡层上；

第九步骤：在所述第三电容区沟槽中填充金属铜以形成第二层金属铜。

2.根据权利要求1所述的金属氧化物金属电容器制作方法，其特征在于，所述第一层金属铜的部分区域被用作互连线，所述第一层金属铜的另一部分区域被用作MIM电容的下极板。

3.根据权利要求1或2所述的金属氧化物金属电容器制作方法，其特征在于，第二层金属铜中的部分区域被用作互连线，第二层金属铜中的另一部分区域被用作MIM电容的上极板。

4.根据权利要求1或2所述的金属氧化物金属电容器制作方法，其特征在于，在在三步骤中，采用铜镶嵌工艺在所述第一电容区沟槽中填充金属铜以形成第一层金属铜。

5.根据权利要求1或2所述的金属氧化物金属电容器制作方法，其特征在于，在第九步骤中通过电镀形成第二层金属铜。

6.根据权利要求1或2所述的金属氧化物金属电容器制作方法，其特征在于，第一刻蚀阻挡层为氮化硅或者碳化硅或者碳氮化硅。

7.根据权利要求1或2所述的金属氧化物金属电容器制作方法，其特征在于，第二为刻蚀阻挡层Ta和/或TaN。

8.根据权利要求1或2所述的金属氧化物金属电容器制作方法，其特征在于，第一层低K介质层的厚度为第一层金属铜的厚度为第一刻蚀阻挡层的厚度为第二层低K介质层的厚度为MIM电容的介质层的厚度为第三层低K介质层的厚度为

9.根据权利要求1或2所述的金属氧化物金属电容器制作方法，其特征在于，MIM电容的介质层的材料为HfO₂。