[发明专利]鳍式场效应管基体制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，更具体地说，本发明涉及一种鳍式场效应管基体制备方法。

背景技术

随着集成电路的发展，器件尺寸越来越小，集成度越来越高。而且，随着半导体器件特征尺寸由于器件尺寸越来越小而不断减小，传统的平面半导体制造技术已经无法使用，目前鳍式场效应管在小尺寸领域被广发使用。在鳍式场效应管结构中栅极与沟道接触面的决定了驱动电流的大小，即接触面积越大，驱动电流越大。

但是，目前的某些鳍式场效应管的驱动电流还没有足够大到能够满足大部分的应用场合。

由此，希望能够提供一种能够提高鳍式场效应管器件的驱动电流的制备方法。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是针对现有技术中存在上述缺陷，提供一种能够提高鳍式场效应管器件的驱动电流的鳍式场效应管基体制备方法。

为了实现上述技术目的，根据本发明，提供了一种鳍式场效应管基体制备方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成待蚀刻半导体材料层，在所述半导体材料层上形成图案化掩膜层；利用图案化掩膜层来部分蚀刻所述半导体材料层，以便在所述半导体材料层中形成处于图案化掩膜层下方的突起部；氧化所述半导体材料层暴露出来的表层，以便在突起部的侧壁以及所述半导体材料层的上表面上形成氧化层；利用图案化掩膜层来干法蚀刻氧化层和所述半导体材料层，以完全去除被图案化掩膜层暴露的氧化层和所述半导体材料层，从而形成鳍形的半导体材料层；湿法蚀刻图案化掩膜层下方的鳍形的半导体材料层，从而在鳍形的半导体材料层下部形成凹进；去除图案化掩膜层和所述侧壁上的氧化层，从而形成Ω形截面的半导体基体结构。

优选地，所述鳍式场效应管基体制备方法还包括：在垂直于鳍形沟道的方向上，在半导体基体结构上形成鳍式场效应管的栅极。

优选地，所述半导体材料层的材料为单晶硅。

优选地，所述半导体材料层的材料为锗硅或碳硅。

优选地，所述图案化掩膜层由氮化硅和氧化硅构成。

优选地，所述图案化掩膜层由氮化硅构成。

优选地，所述图案化掩膜层由氧化硅构成。

优选地，所述半导体衬底是硅衬底。

本发明的鳍式场效应管基体制备方法能够提高了鳍式场效应管器件中栅极和沟道的接触面积，从而提高了器件的驱动电流。

附图说明

结合附图，并通过参考下面的详细描述，将会更容易地对本发明有更完整的理解并且更容易地理解其伴随的优点和特征，其中：

图1示意性地示出了根据本发明优选实施例的鳍式场效应管基体制备方法的第一步骤。

图2示意性地示出了根据本发明优选实施例的鳍式场效应管基体制备方法的第二步骤。

图3示意性地示出了根据本发明优选实施例的鳍式场效应管基体制备方法的第三步骤。

图4示意性地示出了根据本发明优选实施例的鳍式场效应管基体制备方法的第四步骤。

图5示意性地示出了根据本发明优选实施例的鳍式场效应管基体制备方法的第五步骤。

图6示意性地示出了根据本发明优选实施例的鳍式场效应管基体制备方法的第六步骤。

图7示意性地示出了根据本发明优选实施例的鳍式场效应管基体制备方法的第七步骤。

需要说明的是，附图用于说明本发明，而非限制本发明。注意，表示结构的附图可能并非按比例绘制。并且，附图中，相同或者类似的元件标有相同或者类似的标号。

具体实施方式

为了使本发明的内容更加清楚和易懂，下面结合具体实施例和附图对本发明的内容进行详细描述。

图1至图7示意性地示出了根据本发明优选实施例的鳍式场效应管基体制备方法的各个步骤。

如图1至图7所示，根据本发明优选实施例的鳍式场效应管基体制备方法包括：

第一步骤，其中提供半导体衬底10，在所述半导体衬底10上形成待蚀刻半导体材料层20，在所述半导体材料层20上形成图案化掩膜层30；

其中，例如，所述半导体材料层20的材料可以为单晶硅，也可以是锗硅、碳硅等半导体材料。而且，例如，所述图案化掩膜层30可以由氮化硅和/或氧化硅等构成。此外，一般的，所述半导体衬底10是硅衬底。

第二步骤，其中利用图案化掩膜层30来部分蚀刻所述半导体材料层20，以便在所述半导体材料层20中形成处于图案化掩膜层30下方的突起部；

第三步骤，其中氧化所述半导体材料层20暴露出来的表层，以便在突起部的侧壁以及所述半导体材料层20的上表面上形成氧化层40；