[发明专利]制造电路载体和连接电导体与电路载体的金属化层的方法

权利要求书

1.用于制造电路载体（10）的方法，具有如下步骤：

提供电绝缘的载体（1），所述载体具有上侧（1t），以及与所述上侧（1t）相对的下侧（1b）；

在所述上侧（1t）上提供第一金属薄膜（21）；

在所述第一金属薄膜（21）上提供第二金属薄膜（22）；

在所述第一金属薄膜（21）与所述第二金属薄膜（22）之间提供硬化材料（20）；

制造在所述上侧（1t）上布置的且具有硬化地带（25）的上部的金属化层（2），其中所述硬化地带（25）的至少一个连续的区段（250）通过所述硬化材料（20）的至少一部分扩散到所述第一金属薄膜（21）中并且所述硬化材料（20）的至少另一部分扩散到所述第二金属薄膜（22）中的方式产生。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述连续的区段（250）具有至少5μm和/或至多100μm的厚度（d25）。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述连续的区段（250）具有至少1mm²或至少4mm²的基本面积（A250）。

4.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述连续的区段（250）在每个位置都具有大于所述第一金属薄膜（21）的第二硬度（H21）的第一硬度（H25）。

5.根据权利要求1或2所述的方法，其中所提供的载体（1）被构造为陶瓷层或坯件。

6.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述第一金属薄膜（21）在施加所述硬化材料（20）之前或之后材料配合地与所述载体（1）连接。

7.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述上部的金属化层（2）的厚度（d2）为最高2mm。

8.根据权利要求1或2所述的方法，其中

所提供的电绝缘的载体（1）被构造为陶瓷层，所述陶瓷层在制造所述硬化地带（25）之前和/或期间和/或之后材料配合地与所述第一金属薄膜（21）连接；或者

所提供的电绝缘的载体（1）被构造为坯件，所述坯件在制造所述硬化地带（25）之前和/或期间和/或之后材料配合地与所述第一金属薄膜（21）连接。

9.根据权利要求1或2所述的方法，其中在制造所述硬化地带（25）之后将所述上部的金属化层（2）结构化。

10.根据权利要求1或2所述的方法，其中没有电器件通过焊接或烧结连接与所述上部的金属化层（2）的背离所述载体（1）的侧连接。

11.用于将电路载体（10）的金属化层（2）与电导体（7）连接的方法，具有如下步骤：

提供电路载体（10），所述电路载体具有：带有上侧（1t）和与所述上侧（1t）相对的下侧（1b）的电绝缘的载体（1）；以及上部的金属化层（2），所述金属化层被布置在所述上侧（1t）上并且所述金属化层具有带有第一硬度（H25）的硬化地带（25）；以及与所述硬化地带（25）不同的地带（21，22），所述地带（21，22）具有第二硬度（H21，H22），其中所述第二硬度（H21，H22）小于所述第一硬度（H25），并且其中所述硬化地带（25）具有连续的区段（250）；

在所述上部的金属化层（2）的背离所述电绝缘的载体（1）的侧上确定连接部位（28），其中所述连接部位（28）的位置被选择成，使得所述硬化地带（25）被布置在所述连接部位（28）和所述电绝缘的载体（1）之间；和

在所述连接部位（28）上通过超声波焊接建立所述上部的金属化层（2）和所述电导体（7）之间的导电的、材料配合的连接。

12.根据权利要求11所述的方法，其中电路载体（10）的提供包括根据权利要求1至10中任一项所述的方法制造电路载体（10）。