[发明专利]一体式干式绝缘管型母线及其制造方法

权利要求书

1.一体式干式绝缘管型母线，包括空心导电管，其特征在于：在所述的空心导电管外侧缠绕聚四氟乙烯膜组成第一绝缘层，在所述第一绝缘层外侧缠绕包含有碳粉的半导体聚四氟乙烯膜组成第一屏蔽层；在所述第一屏蔽层外侧缠绕聚四氟乙烯膜组成第二绝缘层，在所述第二绝缘层外侧缠绕包含有碳粉的半导体聚四氟乙烯膜组成第二屏蔽层；在所述第二屏蔽层外侧缠绕聚四氟乙烯膜组成第三绝缘层，在所述第三绝缘层外侧缠绕包含有碳粉的半导体聚四氟乙烯膜组成第三屏蔽层；在所述第三屏蔽层外侧缠绕聚四氟乙烯膜组成第四绝缘层，在所述第四绝缘层外侧缠绕包含有碳粉的半导体聚四氟乙烯膜组成第四屏蔽层；

所述半导体聚四氟乙烯膜包括有下列重量份的成分：聚四氟乙烯：100份；碳粉3——10份。

2.根据权利要求1所述的一体式干式绝缘管型母线，其特征在于：在所述第四屏蔽层外侧缠绕聚四氟乙烯膜组成第五绝缘层，在所述第五绝缘层外侧缠绕包含有碳粉的半导体聚四氟乙烯膜组成第五屏蔽层。

3.根据权利要求2所述的一体式干式绝缘管型母线，其特征在于：在所述第五屏蔽层外侧带有护套层，所述护套层包括有下列重量份的成分：聚四氟乙烯100份，红绿蓝有机颜料3-10份。

4.根据权利要求2所述的一体式干式绝缘管型母线，其特征在于：所述聚四氟乙烯膜的厚度为0.05—0.15mm，宽度为25——55mm；所述半导体聚四氟乙烯膜的厚度为0.05—0.15mm，宽度为25——55mm；所述第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层和第四绝缘层由四层聚四氟乙烯膜构成，所述第五绝缘层由三层聚四氟乙烯膜构成；所述第一屏蔽层、第二屏蔽层、第三屏蔽层和第四屏蔽层为一层半导体聚四氟乙烯膜，所述第五屏蔽层为两层半导体聚四氟乙烯膜。

5.根据权利要求1所述的一体式干式绝缘管型母线，其特征在于：在所述第一绝缘层与所述空心导电管之间设置有包含有碳粉的半导体聚四氟乙烯膜组成匀电场层。

6.根据权利要求1所述的一体式干式绝缘管型母线，其特征在于：所述第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层和第四绝缘层、所述第一屏蔽层、第二屏蔽层、第三屏蔽层和第四屏蔽层为螺旋角30-45度半叠包包绕。

7.根据权利要求1所述的一体式干式绝缘管型母线，其特征在于：所述半导体聚四氟乙烯膜包括有下列重量份的成分：聚四氟乙烯：100份；碳粉6——7份。

8.权利要求1、2、3、4、5或6所述的一体式干式绝缘管型母线的制备方法，其特征在于：该方法包括下列步骤：

第一步，在空心导电管外侧依次缠绕各绝缘层和屏蔽层，制成坯料

在空心导电管上由内至外依次缠绕第一绝缘层、第一屏蔽层、第二绝缘层、第二屏蔽层、第三绝缘层、第三屏蔽层、第四绝缘层、第四屏蔽层；

第二步，包裹纤维布层

在第四屏蔽层外侧包裹有耐高温纤维布层；

第三步，将坯料在烧结炉中烧结

将包裹有耐高温纤维布层的坯料置入烧结炉中烧结；

第四步，取出，剥下耐高温纤维布层

将烧结好的坯料取出，并将表面的耐高温纤维布层取下。

9.根据权利要求8所述的一体式干式绝缘管型母线的制备方法，其特征在于：所述第三步烧结步骤包括以下步骤：

第（一）步，第一次加热

将烧结炉中的温度在两个小时内提高至280——290℃，然后恒温25——35分钟；

将烧结炉中的温度在25-35分钟内提高至322——327℃，然后恒温55——65分钟；

第（三）步，第三次加热

将烧结炉中的温度在25-35分钟内提高至327——355℃，然后恒温55——65分钟；

第（四）步，第一次降温

将烧结炉中的温度在25-35分钟内降至322——327℃，然后恒温45——65分钟；

第（五）步，第二次降温

将烧结炉中的温度在45-65分钟内降至278——285℃，然后恒温25——35分钟；

第（六）步，第三次降温

将烧结炉中的温度在55-75分钟内降至95——105℃，然后恒温60——65分钟。

10.根据权利要求8所述的一体式干式绝缘管型母线的制备方法，其特征在于：所述第一步在空心导电管外侧依次缠绕各绝缘层和屏蔽层之前，先在空心导电管外侧缠绕匀电场层，然后在匀电场层外侧依次缠绕各绝缘层和屏蔽层。