[发明专利]烘烤装置和光刻胶层的硬化方法

说明书

技术领域

本发明属于液晶显示器技术领域，具体涉及一种烘烤装置和一种光刻胶层的硬化方法。在液晶显示器的阵列基板的制程中需要多次使用光刻技术，而光刻技术中不可或缺的步骤就是需要对刚涂布在基板的薄膜层上的光刻胶进行硬化处理，本发明的烘烤装置和光刻胶层的硬化方法都可对待硬化的光刻胶进行硬化处理。

背景技术

随着薄膜晶体管液晶显示(Thin Film TransistorLiquid Crystal Display，TFTLCD)的不断发展，对于薄膜晶体管液晶显示内所使用的阵列基板的要求随之增高。由于光刻技术是制造阵列基板必不可缺的技术，光刻技术所使用的装置可决定阵列基板的质量，因此改进光刻技术中所使用的装置是制造商不断追求的目标。

在光刻技术中的曝光步骤之前，需要在带有薄膜层的基板的薄膜层上涂布一层光刻胶层(或称光阻层)，然后通过烘烤装置对刚涂布的光刻胶层进行硬化处理。然而，由于现有的烘烤装置不能够对光刻胶层进行均匀加热，使得基板的周边部位的光刻胶的硬化速度快于基板的中央部位的光刻胶的硬化速度，从而导致曝光步骤后所形成的图形(例如为栅电极与存储电容器C_s所组成的图形)的各个部位线宽不够均匀，进而影响液晶显示器显示时的清晰度。

发明内容

为了解决上述问题，本发明提供了一种烘烤装置和一种光刻胶层的硬化方法，该烘烤装置和刻胶层的硬化方法均能够把基板的周边部位的光刻胶的硬化速度调整到基板的中央部位的光刻胶的硬化速度相近似，使得曝光后所形成的图形的各个部位线宽比较均匀，从而可以提高液晶显示器显示时的清晰程度

根据本发明的第一方面，提供了一种烘烤装置，该烘烤装置包括：用于放置带有薄膜层和待硬化的光刻胶层的基板的平面；以及与所述基板相对的用于加热所述光刻胶层的加热板。其中，所述加热板的中央部位的温度设置成高于所述加热板的周边部位的温度。由此，本发明的烘烤装置能够把基板的周边部位的光刻胶的硬化速度调整到基板的中央部位的光刻胶的硬化速度相近似，使得曝光后所形成的图形的各个部位线宽比较均匀，从而可以提高液晶显示器显示时的清晰程度。

在一个实施例中，所述加热板包括多个依次套接的同心的热框和设置在最内部的所述热框内的热块，其中所述热块的温度最高，各所述热框的温度沿着由内向外的方向依次降低。

在一个实施例中，所述加热板的形状与所述基板的形状相适配。

在一个实施例中，所述热块的形状为矩形，各所述热框的形状均为矩形环形。

在一个实施例中，任意两个相邻的所述热框间的间距均不大于2mm，最内部的所述热框与热块之间的间距不大于2mm。

在一个实施例中，各所述热框的宽度由内向外依次增加。

在一个实施例中，根据所述基板的尺寸将所述热框的数量设为五个，且每一所述热框均具有相同的宽度。

在一个实施例中，最外部的所述热框的外边缘所形成的封闭图形能够容纳所述光刻胶层在所述加热板上的正投影。

在一个实施例中，所述热块和每一个所述热框内都设有均匀分布的加热构件。

根据本发明的第二方面，提供了一种光刻胶层的硬化方法，所述硬化方法包括通过根据本发明的第一方面所述的烘烤装置对基板上的待硬化的光刻胶层进行加热，以使所述光刻胶层变硬。

根据本发明的烘烤装置能够把基板的周边部位的光刻胶的硬化速度调整到基板的中央部位的光刻胶的硬化速度相近似，保证曝光后所形成的图形的各个部位线宽比较均匀，由此可以提高液晶显示器显示时的清晰程度。同时，根据本发明的烘烤装置的结构简单，制造方便，使用安全，便于实施推广应用。

另外，根据本发明的光刻胶层的硬化方法同样能够把基板的周边部位的光刻胶的硬化速度调整到基板的中央部位的光刻胶的硬化速度相近似，使得曝光后所形成的图形的各个部位线宽比较均匀，由此可以提高液晶显示器显示时的清晰程度。同时，根据本发明的光刻胶层的硬化方法具有操作简单、使用安全等优点，便于实施推广应用。

附图说明

在下文中将基于实施例并参考附图来对本发明进行更详细的描述。其中：

图1为根据本发明的烘烤装置的实施例的结构示意图；

图2为图1所示的烘烤装置的加热板的正视图；

图3显示了阵列基板中所使用的基板；

图4为图2中B处的局部放大图；以及

图5为图2中C处的局部放大图。

在附图中相同的部件使用相同的附图标记。附图并未按照实际的比例绘制。

具体实施方式