[发明专利]双面钝化太阳能电池的制作方法

权利要求书

1.一种双面钝化太阳能电池的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

A、正面钝化

1）采用PECVD将太阳能电池的正面沉积20~500nm厚度的N型α-Si薄层；

2）采用PECVD在所述N型α-Si薄层的表面沉积1~10nm厚度的SiO_x薄层；

3）采用PECVD沉积70~120nm厚度的SiN_x薄层；

B、背面钝化

1）采用PECVD沉积20~500nm厚度的P型α-Si薄层；

2）采用原子层沉积法在所述P型α-Si薄层上沉积10~300nm厚度的Al₂O₃薄层；

3）采用PECVD沉积30~120nm的SiN_x薄层；

C、金属电极的制作

1）在太阳能电池的背面印刷穿透性背电极浆料，背电极浆料形成栅线图形的图案，然后烘干，所述背电极浆料为银浆或其他浆料；然后印刷背电场浆料，烘干，所述背电场浆料为铝浆；

2）在太阳能电池的正面印刷正电极浆料，所述正电极浆料为正银浆料；

3）进行烧结处理，烧结后，正电极浆料至少与N型α-Si薄层接触，背电极浆料至少与P型α-Si薄层接触。

2.如权利要求1所述的双面钝化太阳能电池的制作方法，其特征在于：A步骤中，所述N型α-Si薄层的厚度为120nm，所述SiO_x薄层的厚度为4nm，所述SiN_x薄层的厚度为85nm。

3.如权利要求1所述的双面钝化太阳能电池的制作方法，其特征在于，B步骤中，所述P型α-Si薄层的厚度为50nm，所述Al₂O₃的厚度为150nm，所述SiN_x薄层的厚度为80nm。

4.如权利要求1-3任一项所述的双面钝化太阳能电池的制作方法，其特征在于，C步骤中，所述正银浆料能印刷小于70nm的线宽，所述背电极浆料具有穿透性，可以腐蚀氮化硅和氧化铝。