[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

以矩阵设置的多个像素，所述多个像素中的每一个包括：

光电二极管；

信号电荷累积部分；

电荷累积控制晶体管，其中所述电荷累积控制晶体管的源极和漏极之一电连接至所述光电二极管且所述电荷累积控制晶体管的源极和漏极中的另一个电连接至所述信号电荷累积部分；

其中实质上同时在所述多个像素中通过所述光电二极管执行电荷累积操作，且逐行执行对来自所述多个像素的每一个的信号的读取操作，以及

其中在所述多个像素中的所述电荷累积控制晶体管的栅极电连接至彼此。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

所述电荷累积控制晶体管中的沟道形成区包括氧化物半导体。

3.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

其中所述多个像素中的每一个还包括放大晶体管和选择晶体管，

其中所述放大晶体管的栅极电连接至所述信号电荷累积部分，以及

其中所述放大晶体管的的源极和漏极中的一个电连接到所述选择晶体管的源极和漏极中的一个。

4.如权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，

其中所述电荷累积控制晶体管中的沟道形成区包括氧化物半导体，

其中所述放大晶体管中的沟道形成区包括硅半导体，以及

其中所述选择晶体管中的沟道形成区包括硅半导体。

5.一种半导体器件，包括：

第一像素；以及

第二像素；

其中，所述第一像素包括：

第一光电二极管；

第一晶体管；以及

第二晶体管，

其中，所述第二像素包括：

第二光电二极管；

第三晶体管；以及

第四晶体管，

其中，所述第一晶体管被配置为输出对应于第一信号电荷累积部分的电位的信号，

其中，所述第二晶体管被配置为控制由所述第一光电二极管执行的所述第一信号电荷累积部分中电荷累积，

其中，所述第三晶体管被配置为输出对应于第二信号电荷累积部分的电位的信号，

其中，所述第四晶体管被配置为控制由所述第二光电二极管执行的所述第二信号电荷累积部分中电荷累积，

其中，所述第二晶体管中的沟道形成区包括氧化物半导体，

其中，所述第四晶体管中的沟道形成区包括氧化物半导体，

其中，所述第二晶体管的栅极电连接至所述第四晶体管的栅极，

其中，所述第一像素的重置操作和所述第二像素的重置操作同时进行，以及

其中，所述第一像素的读取操作的时序和所述第二像素的读取操作的时序彼此不同。

6.如权利要求5所述的半导体器件，其特征在于还包括：包含在所述第一像素中的第五晶体管和包含在所述第二像素中的第六晶体管，

其中，所述第五晶体管被配置为对所述第一信号电荷累积部分的所述电位初始化，

其中，所述第六晶体管被配置为对所述第二信号电荷累积部分的所述电位初始化，

其中，所述第五晶体管中的沟道形成区包括氧化物半导体，

其中，所述第六晶体管中的沟道形成区包括氧化物半导体，以及

其中，所述第五晶体管的栅极电连接至所述第六晶体管的栅极。

7.如权利要求6所述的半导体器件，其特征在于还包括：包含在所述第一像素中的第七晶体管和包含在所述第二像素中的第八晶体管，

其中，所述第七晶体管的源极和漏极之一电连接至所述第一晶体管的源极和漏极之一，

其中，所述第八晶体管的源极和漏极之一电连接至所述第三晶体管的源极和漏极之一，以及

其中，导通所述第七晶体管的时序和导通所述第八晶体管的时序彼此不同。

8.如权利要求5所述的半导体器件，其特征在于：

所述第一光电二极管和所述第二光电二极管各自为光电二极管。

9.如权利要求8所述的半导体器件，其特征在于：

所述光电二极管为PIN光电二极管。

10.如权利要求8所述的半导体器件，其特征在于：

所述光电二极管为非晶硅。

11.一种显示设备，包括：

如权利要求5所述的半导体器件；以及

显示元件。

12.一种包括如权利要求1或5所述的半导体器件的电子设备。