[发明专利]用在集成电路的电感组件,形成部分集成电路的变压器和电感器有效
申请号: | 201510377927.1 | 申请日: | 2015-07-01 |
公开(公告)号: | CN105244344B | 公开(公告)日: | 2018-12-25 |
发明(设计)人: | J·库比克 | 申请(专利权)人: | 亚德诺半导体集团 |
主分类号: | H01L23/64 | 分类号: | H01L23/64;H01L21/02 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 王莉莉 |
地址: | 百慕大群岛(*** | 国省代码: | 百慕大群岛;BM |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 集成电路 电感 组件 形成 部分 变压器 电感器 | ||
1.一种集成电路中的用于传输功率的变压器,包括:
所述变压器的磁芯;
多个导体,设置在所述磁芯的第一侧;
多个导体,设置在所述磁芯的第二侧,其中所述第一侧上的多个导体和所述第二侧上的多个导体互连以形成围绕所述磁芯的所述变压器的第一线圈和围绕所述磁芯的所述变压器的第二线圈,其中所述第一线圈和所述第二线圈是交错的;以及
补偿结构,用于通过使所述变压器的所述第一线圈的饱和电流增加来补偿所述变压器的所述磁芯的磁芯饱和的非均匀性。
2.如权利要求1所述的变压器,其中,所述补偿结构包括非均匀的线圈,以及其中非均匀的线圈是所述第一线圈或所述第二线圈中的一个。
3.如权利要求1所述的变压器,其中,所述第一线圈的线匝密度作为沿着线圈轴的位置的函数而变化。
4.如权利要求3所述的变压器,其中,所述线匝密度随着沿着所述线圈轴与所述磁芯的端部距离增加而减少。
5.如权利要求2所述的变压器,其中,所述非均匀的线圈的导体宽度随着沿着线圈轴与所述磁芯的端部的距离增加而增加。
6.如权利要求1所述的变压器,其中,线圈的宽度随着沿着线圈轴的距离而变化。
7.如权利要求1所述的变压器,其中,所述补偿结构包括非矩形的磁芯。
8.如权利要求1所述的变压器,其中,所述磁芯的宽度作为沿着线圈轴的位置的函数而变化。
9.如权利要求1所述的变压器,其中,所述磁芯的厚度作为位置的函数而变化。
10.如权利要求1所述的变压器,其中,所述磁芯由多个层形成,并且所述多个层中的至少一层的形状或组成中的一项是变化的。
11.如权利要求1所述的变压器,其中,所述第二线圈具有空间变化的线匝密度。
12.一种集成电路,包括如权利要求1所述的变压器。
13.一种单片集成电路,包括如权利要求1所述的变压器。
14.一种形成变压器的方法,包括在基底上形成第一多个导体;在磁芯之上形成第二多个导体以使得所述第一多个导体和所述第二多个导体形成围绕所述磁芯的交错的线圈,其中所述线圈包括在所述变压器中,以及其中所述磁芯或所述线圈中的至少一个中的至少一个是沿着线圈轴空间非均匀的,以通过使所述变压器的所述线圈中的至少一个线圈的饱和电流增加来补偿所述变压器的所述磁芯的磁芯饱和的非均匀性。
15.如权利要求14所述的方法,其中,所述线圈中的至少一个被形成以使得相比于邻近沿着磁芯轴在所述磁芯的端部处的线匝密度,远离所述磁芯的端部处具有较低的线匝密度。
16.如权利要求15所述的方法,其中,所述磁芯的形状被修改以使得相比于在所述磁芯的端部处,在远离所述磁芯的端部的部分处所述磁芯的形状更宽或更厚。
17.一种集成电路,包括变压器,所述变压器由在所述集成电路的不同金属层中的并连接以形成围绕所述变压器的磁芯的线圈的隔开的导电轨迹形成,其中,所述线圈的线匝密度沿着线圈轴在所述线圈的端部和所述线圈的中心之间变化,以使得朝向所述线圈的中心的第一线匝密度低于邻近所述线圈的端部的所述线圈的第二线匝密度以补偿所述变压器的所述磁芯的磁芯饱和的非均匀性并使得所述变压器的功率传输增加。
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