[发明专利]基于硅基低漏电流双固支梁可动栅的频率检测器有效
申请号: | 201510378150.0 | 申请日: | 2015-07-01 |
公开(公告)号: | CN105004919B | 公开(公告)日: | 2017-12-29 |
发明(设计)人: | 廖小平;严嘉彬 | 申请(专利权)人: | 东南大学 |
主分类号: | G01R23/02 | 分类号: | G01R23/02 |
代理公司: | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙)32249 | 代理人: | 杨晓玲 |
地址: | 211189 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基于 硅基低 漏电 流双固支梁可动栅 频率 检测器 | ||
1.一种基于硅基低漏电流双固支梁可动栅的频率检测器,其特征是:MOSFET制作在P型硅衬底(1)上,沟道栅氧化层(2)设置在P型硅衬底(1)上,在沟道栅氧化层(2)的上方设有两个固支梁(9),材料为Au,作为MOSFET的可动栅,其下拉电压设置为MOSFET的阈值电压,固支梁(9)横跨在锚区(6)上,锚区(6)与输入引线(5)相连,作为待测微波信号和直流偏置信号的输入端,其中,待测微波信号由微波信号输入端口输入,通过隔直电容后分为两路,分别经λ/100延迟线和λ/4延迟线输入到两个固支梁(9)上,直流偏置信号由第一偏置端口(12)和第二偏置端口(13)输入,通过高频扼流线圈分别输入到两个固支梁(9)上,锚区(6)和输入引线(5)的制备材料为多晶硅,固支梁(9)的下面各分布着一个下拉电极(4),下拉电极(4)接地,下拉电极(4)上覆盖一层绝缘的氮化硅介质层(3);MOSFET源区(7)、MOSFET漏区(8)分别设置在P型硅衬底(1)上,源漏引线(11)分别通过有源区引线孔(10)与MOSFET源区(7),MOSFET漏区(8)连接。
2.根据权利要求1所述的基于硅基低漏电流双固支梁可动栅的频率检测器,其特征是该频率检测器通过施加直流偏置电压和控制λ/4延迟线是否接地实现频率检测和信号放大两种功能;频率检测时施加直流偏置电压使两个固支梁(9)都处于下拉状态,待测微波信号经过λ/4延迟线和λ/100延迟线后产生两路频率相等但存在一定相位差的信号,输入到MOSFET的固支梁(9)可动栅上,经MOSFET实现信号混频,输出的源漏极饱和电流包含了相位信息的电流分量,通过低通滤波器(14)滤去源漏极饱和电流中的高频分量,由相位检测输出端口(15)输出,从而得到两路信号的相位差,最后通过相位差反推出待测微波信号的频率;电路处于信号放大状态时,施加直流偏置电压使λ/100延迟线连接的固支梁(9)处于下拉状态,λ/4延迟线的末端接地,延迟线始端相当于开路,信号完全经过λ/100延迟线输入到对应的固支梁(9)栅极上,源漏极输出放大后的电流信号,由信号放大输出端口(16)输出,由于存在一个悬浮的固支梁(9),下面对应的区域为高阻区,有利于增大反向击穿电压。
3.根据权利要求1或2所述的基于硅基低漏电流双固支梁可动栅的频率检测器,其特征是该频率检测器非工作状态时,两个固支梁(9)都处于悬浮态,与栅氧化层(2)没有接触,减小了栅极漏电流,功耗被有效地降低。
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