[发明专利]氮化镓基低漏电流固支梁的RS触发器

权利要求书

1.一种氮化镓基低漏电流固支梁的RS触发器，其特征在于该RS触发器制作在半绝缘型GaN衬底（1）上，由四个N型MESFET 开关（11）和两个电阻R所构成，该N型MESFET 开关（11）包括源极、漏极、栅极和沟道组成，其中两个N型MESFET 开关（11）串联连接组成第一与非门（①），另两个N型MESFET 开关（11）串联连接组成第二与非门（②），其中第一与非门（①）的输出端通过导线与第二与非门（②）的一个输入端相接，同样第二与非门（②）的输出端也通过导线与第一与非门（①）的一个输入端相连接，形成完全对称的结构；RS触发器有两个外接信号输入端分别是第一输入端R和第二输入端S，以及两个输出端分别是第一输出端Q和第二输出端$说明:\; D:/CPC客户端/cases/inventions/3fdad7a0-38fe-47cb-b6fe-ffde51a9e1aa/others/c700832d-d0bb-4e11-b02e-affa2c9dca0f/100001/dest\_path\_image002.GIF$；N型MESFET开关（11）具有悬浮的固支梁（4），该固支梁（4）的两端固定在锚区（2）上，中间部分横跨在栅极（10）上方，与栅极（10）之间有一间隙，固支梁（4）由Au材料制作的，在固支梁（4）下方还设有两个下拉电极（5），下拉电极（5）是接地的，下拉电极（5）上还覆盖有氮化硅介质层（6），这种结构可以大大减小栅极泄漏电流，从而降低器件的功耗。

2. 根据权利要求1所述的氮化镓基低漏电流固支梁的RS触发器，其特征在于所述四个N型MESFET 开关（11）的阈值电压设计为相等，而固支梁（4）的下拉电压设计为与N型MESFET 开关（11）的阈值电压相等；只有当固支梁（4）与下拉电极（5）之间的电压大于阈值电压时，悬浮的固支梁（4）才会下拉贴至栅极（10）上使得N型MESFET 开关（11）导通，偏置信号由固支梁（4）连接到栅极（10）上，否则N型MESFET 开关（11）就截止。