[发明专利]硅基低漏电流固支梁栅CMOS传输门及制备方法

权利要求书

1.一种硅基低漏电流固支梁栅CMOS传输门，其特征是该传输门由固支梁栅NMOS管(1)和固支梁栅PMOS管(2)构成，固支梁栅NMOS管(1)和固支梁栅PMOS管(2)并联在一起，该传输门中的MOS管是制作在P型Si衬底(3)上，其引线(4)都是利用多晶硅制作，对于传输门中的MOS管，其栅极是悬浮在栅氧化层(5)上方的，形成固支梁结构，这种固支梁栅(6)的锚区(7)制作在栅氧化层(5)上，固支梁栅(6)下方设计有电极板(8)，电极板(8)的上方有栅氧化层(5)的覆盖，固支梁栅NMOS管(1)的电极板(8)是接地，而固支梁栅PMOS管(2)的电极板(8)是接电源；

固支梁栅NMOS管的阈值电压设计为正，固支梁栅PMOS管的阈值电压设计为负，固支梁栅NMOS管和固支梁栅PMOS管的阈值电压的绝对值设计为相等，固支梁栅的下拉电压设计为等于MOS管的阈值电压的绝对值。

2.一种如权利要求1所述的硅基低漏电流固支梁栅CMOS传输门的制备方法，其特征在于该制备方法如下：

1).准备P型Si衬底；

2).初始氧化，生长SiO₂层，作为掺杂的屏蔽层；

3).光刻SiO₂层，刻出N阱注入孔；

4).N阱注入，在氮气环境下退火；退火完成后，在高温下进行杂质再分布，形成N阱；

5).去除硅表面的全部氧化层；

6).底氧生长，通过热氧化在平整的硅表面生长一层均匀的氧化层，作为缓冲层；

7).沉积氮化硅，然后光刻和刻蚀氮化硅层，保留有源区的氮化硅，场区的氮化硅去除；

8).场氧化，对硅片进行高温热氧化，在场区生长了所需的厚氧化层；

9).去除氮化硅和底氧层，采用干法刻蚀技术将硅片表面的的氮化硅和底氧全部去除；

10).在硅片上涂覆一层光刻胶，光刻和刻蚀光刻胶，去除需要制作固支梁电极板位置的光刻胶，然后淀积一层Al，去除光刻胶以及光刻胶上的Al，形成电极板；

11).进行栅氧化，进行栅氧化，形成一层高质量的氧化层；

12).利用CVD技术沉积多晶硅，光刻栅图形和多晶硅引线图形，通过干法刻蚀技术刻蚀多晶硅，保留固支梁的锚区位置的多晶硅；

13).通过旋涂方式形成PMGI牺牲层，然后光刻牺牲层，仅保留固支梁栅下方的牺牲层；

14).蒸发生长Al；

15).涂覆光刻胶，保留固支梁栅上方的光刻胶；

16).反刻Al，形成固支梁栅；

17).涂覆光刻胶，光刻并刻蚀出硼的注入孔，注入硼，形成固支梁栅PMOS管的有源区；

18).涂覆光刻胶，光刻并刻蚀出磷的注入孔，注入磷，形成固支梁栅NMOS管的有源区；

19).制作通孔和引线；

20).释放聚酰亚胺牺牲层：显影液浸泡，去除固支梁栅下的聚酰亚胺牺牲层，去离子水稍稍浸泡，无水乙醇脱水，常温下挥发，晾干，形成悬浮的固支梁栅。