[发明专利]有机电致发光装置

权利要求书

1.一种有机电致发光装置OELD，该有机电致发光装置包括：

第一基板，其包括像素区，所述像素区包括元件区和发光区；

存储电容器，其设置在所述元件区中，所述存储电容器包括第一存储电极、所述第一存储电极上的第一缓冲层、和所述第一缓冲层上的第二存储电极；

第二缓冲层，其在所述存储电容器上；

多个TFT，其在所述元件区，并在所述第二缓冲层上；

钝化层，其在所述多个TFT上，

其中，所述存储电容器与所述多个TFT中的至少一个交叠，

其中，所述多个TFT均包括：

半导体层；

栅绝缘层，其在所述半导体层上；

栅极，其在所述栅绝缘层上；

层间绝缘层，其在所述栅极上，并且包括将所述半导体层露出的半导体接触孔；以及

源极和漏极，其在所述层间绝缘层上，并且通过对应的半导体接触孔与所述半导体层接触，

其中，所述多个TFT包括开关TFT和驱动TFT，

其中，所述存储电容器与所述开关TFT和所述驱动TFT中的至少一个交叠，并且

所述有机电致发光装置还包括在所述层间绝缘层上的第一辅助图案，其中，所述第一辅助图案连接到所述开关TFT的漏极、所述驱动TFT的栅极和所述存储电容器。

2.根据权利要求1所述的OELD，所述OELD还包括在所述第一基板和所述第一存储电极之间的湿气阻挡层。

3.根据权利要求2所述的OELD，其中，所述第一基板是柔性基板。

4.根据权利要求1所述的OELD，其中，所述第一存储电极和所述第二存储电极均由金属材料制成，并且所述第一缓冲层由无机绝缘材料制成。

5.根据权利要求1所述的OELD，其中，所述半导体层由多晶硅或氧化物半导体材料制成。

6.根据权利要求1所述的OELD，其中，所述第一辅助图案通过存储接触孔连接到所述第二存储电极，所述存储接触孔形成在所述层间绝缘层、所述栅绝缘层和所述第二缓冲层中以将所述第二存储电极露出。

7.根据权利要求1所述的OELD，其中，所述第一辅助图案通过存储接触孔连接到所述第一存储电极，所述存储接触孔形成在所述层间绝缘层、所述栅绝缘层、所述第二缓冲层和所述第一缓冲层中以将所述第一存储电极露出。

8.根据权利要求1所述的OELD，其中，所述第一辅助图案通过栅接触孔连接到所述驱动TFT的栅极，所述栅接触孔形成在所述层间绝缘层中，以将所述驱动TFT的栅极露出。

9.根据权利要求1所述的OELD，所述OELD还包括在所述发光区并在所述钝化层上的有机发光二极管，

其中，所述有机发光二极管通过漏接触孔连接到所述驱动TFT的漏极，所述漏接触孔形成在所述钝化层中以将所述驱动TFT的漏极露出。