[发明专利]硅基低漏电流固支梁栅MOSFET或非门的RS触发器有效
申请号: | 201510379674.1 | 申请日: | 2015-07-01 |
公开(公告)号: | CN105007061B | 公开(公告)日: | 2017-08-04 |
发明(设计)人: | 廖小平;陈子龙 | 申请(专利权)人: | 东南大学 |
主分类号: | H03K3/012 | 分类号: | H03K3/012;H03K3/02;B81B7/00;H01L29/78 |
代理公司: | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙)32249 | 代理人: | 杨晓玲 |
地址: | 211189 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 硅基低 漏电 流固支梁栅 mosfet 非门 rs 触发器 | ||
1.一种硅基低漏电流固支梁栅MOSFET或非门的RS触发器,其特征在于该触发器包括由第一固支梁栅NMOS管(1)和第二固支梁栅NMOS管(2)组成的第一或非门(G1),由第三固支梁栅NMOS管(3)和第四固支梁栅NMOS管(4)组成的第二或非门(G2),每个或非门串接一个电阻(5),该RS触发器制作在P型硅衬底(13)上,四个固支梁栅(8)即NMOS管的栅极悬浮在二氧化硅层(7)之上,用Al制作而成;固支梁栅(8)的两端分别固定在两个锚区(9)上,锚区(9)用多晶硅制作在二氧化硅层(7)上,N+有源区(10)是NMOS管的源极和漏极,源极和漏极通过通孔(11)与引线(6)连接,下拉电极(12)在固支梁栅(8)下的部分被二氧化硅层(7)覆盖;其中第一或非门(G1)的输出端通过导线与第二或非门(G2)的一个输入端相接,同样第二或非门(G2)的输出端也通过导线与第一或非门(G1)的一个输入端相连接,形成完全对称的结构;RS触发器有两个外接信号输入端分别是SD和RD,以及两个输出端Q和Q';
所述的RS触发器所用的固支梁栅(8)依靠锚区(9)的支撑悬浮在二氧化硅层(7)上方;NMOS管的固支梁栅(8)的下拉电压设计的与NMOS管的阈值电压相等,只有当NMOS管的固支梁栅(8)上所加的电压大于NMOS管的阈值电压时,其固支梁栅(8)才能下拉并接触二氧化硅层(7)从而使固支梁栅NMOS管反型导通,当所加电压小于NMOS管的阈值电压时固支梁栅(8)就不能下拉,当该RS触发器在输入信号的作用下处于工作态时,两个NMOS管就在导通或者截止状态之间变化,当NMOS管处于关断态时其固支梁栅(8)就处于悬浮态。
2.根据权利要求1所述的硅基低漏电流固支梁栅MOSFET或非门的RS触发器,其特征在于组成RS触发器的第一或非门(G1)、第二或非门(G2)中的两个NMOS管的源极连接在一起共同接地,两个NMOS管的栅极都是数字信号的输入端,两个NMOS管的漏极连接在一起然后通过电阻(5)与电源电压相接,数字信号在两个NMOS管的栅极上输入,在两个NMOS管的漏极与其共同的负载电阻(5)之间输出。
3.根据权利要求2所述的硅基低漏电流固支梁栅MOSFET或非门的RS触发器,其特征在于所述的电阻(5)的阻值设置为当其中任意一个NMOS管导通时,相比于导通的NMOS管,该电阻(5)的阻值大到能使得输出为低电平,当两个NMOS管都不能导通时,相比于截止的NMOS管,该电阻的阻值小到能使得输出为高电平。
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