[发明专利]硅基低漏电流悬臂梁浮动栅的RS触发器有效
| 申请号： | 201510380063.9 | 申请日： | 2015-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN104935301B | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 廖小平;褚晨蕾 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | H03K3/012 | 分类号： | H03K3/012;H03K3/02 |
| 代理公司： | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙)32249 | 代理人： | 杨晓玲 |
| 地址： | 211189 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 硅基低 漏电 悬臂梁 浮动 rs 触发器 | ||
1.一种硅基低漏电流悬臂梁浮动栅的RS触发器，其特征在于该RS触发器由两个与非门构成，每一个与非门由两个NMOS开关管（1）与一个电阻R串联组成，其中，第一与非门（①）的一个输入端接第二与非门（②）的输出端，第二与非门（②）的一个输入端接第一与非门（①）的输出端，第一输入信号（R）接第一与非门（①）中NMOS开关管（1）的悬臂梁浮动栅（6），第二输入信号（S）接第二与非门（②）中NMOS开关管（1）的悬臂梁浮动栅（6）；整个RS触发器基于P型Si衬底（2）上制作，四个NMOS开关管（1）具有可以上下浮动的悬臂梁浮动栅（6），该悬臂梁浮动栅（6）由Al制作，悬臂梁浮动栅（6）的一端固定在锚区（5）上，另一端横跨在栅氧化层（10）上方，在悬臂梁浮动栅（6）下方有两个下拉电极（7），分布在锚区（5）与栅氧化层（10）之间，下拉电极（7）是接地的，其上还覆盖有氮化硅介质层（8），这种结构具有低漏电流、低功耗的巨大优点。
2.根据权利要求1所述的硅基低漏电流悬臂梁浮动栅的RS触发器，其特征在于四个NMOS开关管（1）的阈值电压设计为相等，而悬臂梁浮动栅（6）的下拉电压设计为与NMOS开关管（1）的阈值电压相等，只有当NMOS开关管（1）的悬臂梁浮动栅（6）与下拉电极（7）间的电压大于阈值电压时，悬浮的悬臂梁浮动栅（6）才会下拉贴至栅氧化层（10）上使得NMOS开关管（1）导通，否则NMOS开关管（1）就截止。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东南大学，未经东南大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510380063.9/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：张驰振荡器
- 下一篇：氮化镓基低漏电流悬臂梁的RS触发器
