[发明专利]金属基电子封装复合材料及其制备方法

权利要求书

1.一种金属基电子封装复合材料，其特征在于，组分及各组分质量份数如下：Al  15~30份，Cu  20~30份，SiC  10~15份，Mo 2~6份，BeO 3~5份，ZrW₂O₈ 1~4份，GaAs 2~6份。

2.根据权利要求1所述的金属基电子封装复合材料，其特征在于，还包括玻璃纤维5~10份， 酚醛纤维1~3份。

3.根据权利要求2所述的金属基电子封装复合材料，其特征在于，组分及各组分质量份数如下：Al  18~26份，Cu  22~28份，SiC  12~14份，Mo 3~5份，BeO 3~5份，ZrW₂O₈ 2~3份，GaAs 3~5份，玻璃纤维6~8份， 酚醛纤维1~3份。

4.根据权利要求1所述的金属基电子封装复合材料，其特征在于，组分及各组分质量份数如下：Al  22份，Cu  24份，SiC  13份，Mo 4份，BeO 4份，ZrW₂O₈ 2.5份，GaAs 4份，玻璃纤维7份， 酚醛纤维2份。

5.权利要求1~4中任意一项所述金属基电子封装复合材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

1）对Al和Cu 金属表面进行处理，将金属表面打磨光滑，控制粗糙度Ra在0.4~1.6以下，然后将两者分别浸入NaCl溶液中2~6h,取出，干燥备用；

2）冷轧复合，将剩余组分加入轧机中，初道次变形量控制在20~30%之间，轧制温度为340~420℃，轧制6~10道次，然后在210~240℃下退火1~2h，冷却得金属基电子封装复合材料。

6.根据权利要求5所述的金属基电子封装复合材料的制备方法，其特征在于：步骤1）中NaCl溶液的质量浓度为20~40%。

7.根据权利要求5所述的金属基电子封装复合材料的制备方法，其特征在于：步骤2）中初道次变形量控制在22%，轧制温度为360~400℃，轧制8道次，然后在220℃下退火1.5h。