[发明专利]拥有同相位高功率单波长半导体激光的新型超连续谱光源系统在审

专利信息
申请号: 201510381191.5 申请日: 2015-07-02
公开(公告)号: CN104934844A 公开(公告)日: 2015-09-23
发明(设计)人: 杨惟佳;陈抗抗 申请(专利权)人: 武汉安扬激光技术有限责任公司
主分类号: H01S3/0941 分类号: H01S3/0941;H01S3/067
代理公司: 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 代理人: 胡建平;杨晓燕
地址: 430074 湖北省武汉市*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 拥有 相位 功率 波长 半导体 激光 新型 连续谱 光源 系统
【权利要求书】:

1.拥有同相位高功率单波长半导体激光的新型超连续谱光源系统,其特征在于:包括同源多路时钟、超连续谱光源和多个单波长半导体激光器,所述各个单波长半导体激光器的频率通过同源多路时钟调节为超连续谱光源的频率的整数倍或整除倍。

2.如权利要求1所述的拥有同相位高功率单波长半导体激光的新型超连续谱光源系统,其特征在于:所述同源多路时钟由时钟、同频同相位模块以及多个延时和倍频/差频模块构成。

3.如权利要求1所述的拥有同相位高功率单波长半导体激光的新型超连续谱光源系统,其特征在于:所述超连续谱光源包括依次连接的脉冲发生器、半导体激光器、一级光纤放大器、二级光纤放大器、三级光纤放大器、PCF光子晶体光纤。

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