[发明专利]一种掺杂纳米复合镶嵌结构的智能节能薄膜及其制备方法有效
申请号: | 201510381588.4 | 申请日: | 2015-07-01 |
公开(公告)号: | CN104962869B | 公开(公告)日: | 2018-11-27 |
发明(设计)人: | 朱慧群 | 申请(专利权)人: | 五邑大学 |
主分类号: | C23C14/34 | 分类号: | C23C14/34;C23C14/58;C23C14/08 |
代理公司: | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人: | 靳荣举;焦明辉 |
地址: | 529020*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 掺杂 纳米 复合 镶嵌 结构 智能 节能 薄膜 及其 制备 方法 | ||
1.一种掺杂纳米复合镶嵌结构的智能节能薄膜,其特征在于:包括玻璃衬底、ZnO镶嵌层、嵌入物,所述玻璃衬底上附着ZnO镶嵌层,ZnO镶嵌层内设有嵌入物,嵌入物组成式为VO2或WxV1-xO2,WxV1-xO2即掺钨VO2,式中,0.01≤x≤0.1;每层VO2或掺钨VO2薄膜厚度10nm,每层ZnO厚度50nm,周期交替溅射各50层以内。
2.根据权利要求1所述的掺杂纳米复合镶嵌结构的智能节能薄膜,其特征在于:所述VO2中掺杂元素W或Mo或Nb或Ta或Ru。
3.根据上述任意一项权利要求所述的掺杂纳米复合镶嵌结构的智能节能薄膜的制备方法,其特征在于:将高纯度的掺杂源W与VO2组成复合靶材,并且在玻璃衬底上先引入合适厚度的ZnO,再通过周期性交替分层低温溅射+后退火的方法在ZnO内部嵌入VO2或WxV1-xO2纳米点,在沉积VO2薄膜的过程中实现W掺杂、纳米结构和ZnO三者的协同作用,将掺杂元素W掺入VO2中的同时,形成高质量掺杂纳米复合镶嵌结构VO2智能节能薄膜;所述每层VO2或掺钨VO2薄膜厚度10nm;包括以下步骤:
1)在玻璃衬底上溅射沉积制备高质量ZnO,厚度适中;
2)选择高纯VO2靶,靶内掺杂溅射面积比例为1%-3%的掺杂元素W,周期性交替分层低温溅射沉积掺钨VO2薄膜和ZnO薄膜,每层VO2或掺钨VO2薄膜厚度10nm,每层ZnO厚度50nm,周期性交替溅射各50层以内;
3)在后退火处理过程中,匹配退火温度、退火时间和退火气体的工艺参数,优化VO2结晶状态、结构和组分,在ZnO内实现镶嵌VO2或掺钨VO2纳米点,从而获得相变温度较低而调制幅度较高的镶嵌结构智能节能薄膜。
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