[发明专利]应用于固态硬盘阻变存储器缓存的损耗均衡方法

说明书

技术领域

本发明属于非易失性数据存储技术领域，涉及一种应用于固态硬盘阻变存储器缓存的损耗均衡方法。

背景技术

固态硬盘SSD系统中的DRAM主要用于数据缓存和固件程序运行，然而DRAM的漏电流大，需要不断地刷新保证数据的正确性，产生的功耗大，并且突然掉电后导致数据丢失，由于非易失性存储器(Non-Volatile Memory，NVM)功耗低，掉电后数据不丢失等优势，现在越来越倾向于使用NVM取代SSD系统中的DRAM。

阻变存储器(Resistive Random Access Memory，ReRAM)可扩展性好、读写速度快、存储单元结构简单、功耗低，ReRAM操作电流小，可以使用交叉阵列结构提高其存储密度，而且与CMOS半导体技术相兼容，依据现有的芯片生产流程和制作工艺，可以很容易生产ReRAM，因此，ReRAM被认为是最具潜力的非易失性存储器，并能取代固态硬盘SSD系统中的DRAM。

目前，ReRAM的寿命还不能达到日常使用需求，若在ReRAM同一个物理地址上频繁更新数据会致使其磨损程度升高，从而发生数据存储错误。损耗均衡是解决ReRAM中存在的这一问题而被广泛采用的方法。然而，ReRAM缓存的操作以页为单位，传统上应用于闪存的损耗均衡方法在应用于ReRAM缓存时，需要记录ReRAM缓存每个数据页的写次数，导致空间损耗大，查询ReRAM缓存数据页写次数信息时，导致时间开销大。针对以上问题，科研学者提出了很多针对新型非易失性存储器的损耗均衡方法，但仍存在如下问题：第一，没有针对性的移动数据，一个周期后移动的数据其物理地址损耗可能并不大，这样会带来额外的耗费；第二，在数据移动过程中，可能将数据从一个损耗很大的物理地址中移动到另外一个损耗很大的物理地址中；第三，冷热逻辑地址的鉴别准确度不高。

发明内容

本发明的目的在于克服上述现有技术的缺点，提供了一种应用于固态硬盘阻变存储器缓存的损耗均衡方法，方法能够有效降低物理地址的耗费，同时冷热逻辑地址的鉴别精度高。

为达到上述目的，本发明所述的应用于固态硬盘阻变存储器缓存的损耗均衡方法包括以下步骤：

由冷热数据鉴别机制鉴别写请求对应的逻辑地址中的热逻辑地址，并根据一个时间周期内的所有热逻辑地址构建热数据链，再利用缓存管理策略为热数据链中命中的写请求对应的逻辑地址分配更新的数据结点，同时通过快速定位查找方法查询热数据链中命中的写请求的逻辑地址在ReRAM缓存中对应的数据结点所在位置。

根据一个时间周期内的所有热逻辑地址构建热数据链的具体操作为：在每个时间周期结束后，将该时间周期内的所有热逻辑地址构成一个热数据链，再将热数据链链接到循环队列尾指针指向的结点后，并将尾指针指向下一个结点，同时按照循环队列的原理管理每个时间周期产生的热数据链，然后除去循环队列中的冗余热逻辑地址。

除去循环队列中的冗余热逻辑地址的具体操作为：一个时间周期后遍历查询循环队列中所有热逻辑地址，判断该时间周期产生的热逻辑地址是否已经存在，若存在，则删除热数据链中查询的热逻辑地址，否则，则将该时间周期产生的热逻辑地址作为热数据链中的一员链接到循环队列尾指针指向的结点后，当循环队列已满时，则在每个时间周期后删除循环队列首指针指向的结点的热数据链，再去除该时间周期产生热数据链中的冗余热逻辑地址，然后再将该时间周期产生的热数据链加入到循环队列尾指针指向的结点后面，最后循环队列尾指针指向下一个结点。

利用缓存管理策略为热数据链中命中的写请求对应的逻辑地址分配更新的数据结点的具体操作为：

查询ReRAM缓存判断写请求是否命中，若未命中，则按照缓存管理策略分配一个ReRAM缓存结点给当前写请求对应的逻辑地址，再将写请求对应的逻辑地址存入到该ReRAM缓存内的结点中；若命中，则查询热数据链，当写请求对应的逻辑地址在热数据链中未命中时，则查询写请求对应的逻辑地址在ReRAM缓存中的结点位置，然后在查找到的ReRAM缓存中的结点位置更新写请求对应的逻辑地址；当写请求对应的逻辑地址在热数据链中命中时，则通过快速定位查找方法定位写请求对应的逻辑地址在ReRAM缓存中的结点位置，再采用缓存管理策略为本次写请求对应的逻辑地址更新分配一个ReRAM缓存中的结点，然后将本次写请求对应的逻辑地址更新到分配的ReRAM缓存中的结点处，并设置本次写请求对应的逻辑地址在ReRAM缓存中对应的原结点无效，完成数据交换操作。

通过快速定位查找方法查询热数据链中命中的写请求的逻辑地址在ReRAM缓存中对应的数据结点所在位置的具体操作为：