[发明专利]用于压控振荡器的系统和方法

权利要求书

1.一种振荡器，包括：

储能器电路；以及

振荡器核心电路，包括耦合至所述储能器电路的多个交叉耦合的混合晶体管，其中所述多个混合晶体管中的每个混合晶体管包括双极晶体管和场效应晶体管，所述场效应晶体管具有耦合至所述双极晶体管的基极的源极，其中，所述场效应晶体管的漏极耦合至所述双极晶体管的集电极。

2.根据权利要求1所述的振荡器，其中，所述双极晶体管包括NPN晶体管，以及所述场效应晶体管包括n沟道金属氧化物场效应晶体管器件。

3.根据权利要求1所述的振荡器，其中，所述振荡器包括在10GHz与30GHz之间的工作频率。

4.根据权利要求1所述的振荡器，其中，所述振荡器布置在BiCOMS集成电路上。

5.根据权利要求1所述的振荡器，其中，所述储能器包括电感元件和电容元件。

6.根据权利要求5所述的振荡器，其中，所述电容元件的电容是可调的。

7.根据权利要求6所述的振荡器，其中，所述电容元件包括变容器。

8.根据权利要求5所述的振荡器，其中，所述电感元件的电感是可调的。

9.一种振荡器，包括：

储能器电路；以及

振荡器核心电路，包括耦合至所述储能器电路的多个交叉耦合的混合晶体管，其中所述多个混合晶体管中的每个混合晶体管包括双极晶体管和场效应晶体管，所述场效应晶体管具有耦合至所述双极晶体管的基极的源极，其中，所述场效应晶体管的漏极耦合至恒定参考电压。

10.根据权利要求9所述的振荡器，其中，所述储能器包括电感元件和可调电容元件。

11.根据权利要求10所述的振荡器，其中，所述可调电容元件包括变容器。

12.根据权利要求9所述的振荡器，其中，

所述振荡器被布置在BiCMOS集成电路上；

所述双极晶体管包括NPN晶体管；以及

所述场效应晶体管包括NMOS器件。

13.根据权利要求9所述的振荡器，其中所述振荡器包括在10GHz和30GHz之间操作的频率。

14.一种振荡器，包括：

储能器电路，包括耦合在储能器电路的第一端子和电源节点之间的第一电感器、以及耦合在所述储能器电路的第二端子和所述电源节点之间的第二电感器；

可调电容，耦合在所述储能器电路的第一端子和所述储能器电路的第二端子之间；

第一双极晶体管，包括耦合至所述储能器电路的第一端子的第一集电极；

第一场效应晶体管，包括耦合至所述第一双极晶体管的第一基极的第一源极和耦合至所述储能器电路的第二端子的第一栅极，其中所述第一场效应晶体管包括耦合至所述电源节点的第一漏极；

第二双极晶体管，包括耦合至所述储能器电路的第二端子的第二集电极；以及

第二场效应晶体管，包括耦合至所述第二双极晶体管的第二基极的第二源极和耦合至所述储能器电路的第一端子的第二栅极，其中所述第二场效应晶体管包括耦合至所述电源节点的第二漏极。