[发明专利]一种光波导及其制作方法

权利要求书

1.一种光波导的制作方法，其特征在于：包括以下步骤，

1)在SOI基片(1)的顶层硅上生长一层掩膜层(2)；

2)对掩膜层(2)依次进行光刻和刻蚀，使得该掩膜层(2)呈现需要制作的光波导的掩膜图案；

3)在呈现掩膜图案的掩膜层(2)上形成一层薄膜层(3)，该薄膜层(3)与掩膜层(2)相接触的面的形状相互匹配；

4)对薄膜层(3)的顶部表面进行加热磨平工艺使其形成光滑平整的表面；

所述薄膜层为硫系玻璃材料。

2.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于：在上述步骤1)前对所述SOI基片(1)进行清洗。

3.如权利要求2所述的制作方法，其特征在于：具体的清洗步骤为,1)、将上述SOI基片(1)浸入丙酮中，并用超声波清洗15-25分钟，2)、在第一次清洗完成后，从丙酮中取出SOI基片(1)然后浸入甲醇中，并用超声波清洗3-7分钟，3)、在第二次清洗完后，从甲醇中取出SOI基片(1)然后浸入异丙醇中，并用超声波清洗3-7分钟，4)、将清洗干净的SOI基片(1)用氮气吹干。

4.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于：步骤1)中生长掩膜层(2)采用氧化法，所述掩膜层(2)为二氧化硅膜层或者氮化硅膜层，所述掩膜层(2)的厚度为纳米量级。

5.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于：步骤2)中的光刻步骤中，先在掩膜层(2)上涂覆光刻胶(4)，匀胶机的工作参数为慢转转速为1500rpm-2000rpm，慢转时间为3s-5s，快转转速为5000rpm-6000rpm，快转时间为25s-30s；然后进行对准曝光，所述的曝光是利用接触式系统进行曝光，曝光时间为10s；最后进行显影，所述的显影为在氢氧化钠碱性显影液中显影，显影时间为45s-60s，使得光刻胶(4)呈现该掩膜图案。

6.如权利要求1或5所述的制作方法，其特征在于：步骤2)中的刻蚀步骤，为利用电感耦合等离子体(ICP)进行蚀刻，刻蚀中采用的刻蚀气体四氟化碳的流量为15sccm-25sccm，保护气体三氟甲烷的流量为20sccm-40sccm，平板功率为50W，刻蚀时间为2-3分钟，腔体压强为3mTorr，蚀刻后用丙酮清洗剩余光刻胶图像，清洗时间是1-5分钟。

7.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于：步骤3)中形成薄膜层(3)的方法为磁控溅射，其中采用的腔内压强为1.0×10^-4Pa-2.0×10^-4Pa，起辉气压为3Pa，溅射气压为0.2Pa-0.4Pa，溅射功率为25W-30W，溅射时间为1.5小时-3小时，气体Ar的流量采用的是40sccm-50sccm。