[发明专利]一种阵列基板及其制作方法

权利要求书

1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，所述阵列基板包括多个N型薄膜晶体管和多个P型薄膜晶体管，所述N型薄膜晶体管和P型薄膜晶体管包括多晶硅层、栅极，以及位于所述多晶硅层和栅极之间的绝缘层，所述制作方法包括：

在多个N型薄膜晶体管和多个P型薄膜晶体管的多晶硅层和栅极之间形成绝缘层，其中所述N型薄膜晶体管和P型薄膜晶体管的绝缘层厚度不同；

所述P型薄膜晶体管中多晶硅层和栅极之间的绝缘层厚度大于所述N型薄膜晶体管中多晶硅层和栅极之间的绝缘层厚度；

所述P型薄膜晶体管中多晶硅沟道的掺杂浓度小于所述N型薄膜晶体管中多晶硅沟道的掺杂浓度；

在衬底上依次形成多晶硅层和隔离层；

对所述多晶硅层和隔离层进行刻蚀，形成N型薄膜晶体管和P型薄膜晶体管的岛区图形，所述岛区图形包括沟道区以及位于所述沟道区两侧的源区和漏区；

对所述N型薄膜晶体管的源区和漏区进行掺杂；

去除所述N型薄膜晶体管的隔离层；

对所述N型薄膜晶体管和P型薄膜晶体管的岛区图形进行沟道掺杂；

依次形成所述N型薄膜晶体管和P型薄膜晶体管的栅极绝缘层和栅极；

对所述P型薄膜晶体管的源区和漏区进行掺杂；

依次形成层间绝缘层、过孔、所述N型薄膜晶体管和P型薄膜晶体管的源极和漏极，所述N型薄膜晶体管和P型薄膜晶体管的源极和漏极通过所述层间绝缘层的过孔分别与所述源区和漏区连接；

其中，所述N型薄膜晶体管中所述多晶硅层和栅极之间的绝缘层包括栅极绝缘层；所述P型薄膜晶体管中所述多晶硅层和栅极之间的绝缘层包括栅极绝缘层，以及位于所述栅极绝缘层与多晶硅层之间的隔离层；所述N型薄膜晶体管和所述P型薄膜晶体管的栅极绝缘层厚度相同。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，对所述N型薄膜晶体管源区和漏区进行掺杂，包括：

形成第一光阻图形，曝露所述N型薄膜晶体管的源区和漏区，并对所述N型薄膜晶体管的源区和漏区进行掺杂；

对所述P型薄膜晶体管源区和漏区进行掺杂，包括：

形成第二光阻图形，曝露所述P型薄膜晶体管的源区和漏区，并对所述P型薄膜晶体管的源区和漏区进行掺杂。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，去除所述N型薄膜晶体管的隔离层，包括：

通过干法刻蚀和/或湿法刻蚀去除所述N型薄膜晶体管的隔离层。

4.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，所述阵列基板包括多个N型薄膜晶体管和多个P型薄膜晶体管，所述N型薄膜晶体管和P型薄膜晶体管包括多晶硅层、栅极，以及位于所述多晶硅层和栅极之间的绝缘层，所述制作方法包括：

在多个N型薄膜晶体管和多个P型薄膜晶体管的多晶硅层和栅极之间形成绝缘层，其中所述N型薄膜晶体管和P型薄膜晶体管的绝缘层厚度不同；

所述P型薄膜晶体管中多晶硅层和栅极之间的绝缘层厚度大于所述N型薄膜晶体管中多晶硅层和栅极之间的绝缘层厚度；

所述P型薄膜晶体管中多晶硅沟道的掺杂浓度小于所述N型薄膜晶体管中多晶硅沟道的掺杂浓度；

在衬底上形成多晶硅层，并刻蚀形成N型薄膜晶体管和P型薄膜晶体管的岛区图形，所述岛区图形包括沟道区以及位于所述沟道区两侧的源区和漏区；

形成栅极绝缘层；

对所述N型薄膜晶体管的源区和漏区进行掺杂；

对栅极绝缘层进行刻蚀，以使所述P型薄膜晶体管的栅极绝缘层厚度大于所述N型薄膜晶体管的栅极绝缘层厚度；

对所述N型薄膜晶体管和P型薄膜晶体管的岛区图形进行沟道掺杂；

在所述栅极绝缘层上方依次形成所述N型薄膜晶体管和P型薄膜晶体管的栅极；

对所述N型薄膜晶体管的源区和漏区进行掺杂；

依次形成层间绝缘层、过孔、所述N型薄膜晶体管和P型薄膜晶体管的源极和漏极，所述N型薄膜晶体管和P型薄膜晶体管的源极和漏极通过所述层间绝缘层的过孔分别与所述N型薄膜晶体管和P型薄膜晶体管的源区和漏区连接；

其中，所述N型薄膜晶体管和所述P型薄膜晶体管中的多晶硅层和栅极之间的绝缘层为栅极绝缘层，且所述N型薄膜晶体管和所述P型薄膜晶体管的栅极绝缘层厚度不同。