[发明专利]阵列基板、显示面板和显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：

衬底；

设置于所述衬底一侧的多条栅极线、多条数据线和由所述栅极线和所述数据线限定出的多个像素单元，所述像素单元包括像素电极、薄膜晶体管和第一电容，所述第一电容包括第一电极和第二电极；其中，所述第一电容为U型结构，且所述第一电容位于所述像素电极的周边；所述像素电极具有开缝，且所述第一电容与所述像素电极上的开缝区域不重合；

设置于所述衬底同一侧的公共电极层，所述公共电极层具有至少一条刻缝；

其中，在垂直于所述衬底的方向上，所述第一电极和第二电极至少部分交叠；且所述第一电极与所述薄膜晶体管的有源层为连续的一体结构；所述第二电极位于所述公共电极层和所述有源层之间或所述有源层位于所述公共电极层和所述第二电极之间，且所述第二电极与所述公共电极层电连接。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管包括依次设置于所述衬底表面的有源层、栅介质层、栅极、栅绝缘层、源极和漏极，所述源极和漏极分别与所述有源层电连接；所述第二电极与所述栅极线位于同一层，且所述第二电极与所述栅极线相互绝缘；

所述第一电极和所述第二电极之间的绝缘介质为所述栅介质层；

或者，所述薄膜晶体管包括依次设置于所述衬底表面的栅极、栅绝缘层、有源层、栅介质层、源极和漏极，所述源极和漏极分别与所述有源层电连接；

所述第二电极与所述栅极线位于同一层，且所述第二电极与所述栅极线相互绝缘；

所述第一电极和所述第二电极之间的绝缘介质为所述栅绝缘层。

3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一电极和所述第二电极之间的绝缘介质的厚度小于或等于100nm。

4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管包括依次位于所述衬底表面的有源层、栅介质层、栅极、栅绝缘层、源极和漏极，所述源极和漏极分别与所述有源层电连接；

所述第二电极与所述源极和漏极位于同一层，且所述第二电极与所述源极和漏极相互绝缘；

所述第一电极和所述第二电极之间的绝缘介质为所述栅介质层和栅绝缘层；

或者，所述薄膜晶体管包括依次设置于所述衬底表面的栅极、栅绝缘层、有源层、栅介质层、源极和漏极，所述源极和漏极分别与所述有源层电连接；

所述第二电极与所述源极和漏极位于同一层，且所述第二电极与所述源极和漏极相互绝缘；

所述第一电极和所述第二电极之间的绝缘介质为所述栅介质层。

5.根据权利要求2～4任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述公共电极层被所述刻缝分割成多个公共电极，所述公共电极复用为触控电极；

其中，所述像素电极位于所述漏极背离所述衬底的一侧，且与所述漏极电连接；

所述公共电极位于所述像素电极背离所述衬底的一侧，所述像素电极和公共电极之间具有第一绝缘层。

6.根据权利要求2～4任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述公共电极层被所述刻缝分割成多个公共电极，所述公共电极复用为触控电极；

其中，所述像素电极位于所述漏极背离所述衬底的一侧，且与所述漏极电连接；

所述公共电极位于所述漏极和所述像素电极之间，所述公共电极和所述漏极之间具有第一绝缘层，所述公共电极和所述像素电极之间具有第二绝缘层。

7.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一电容由连续的第一部分、第二部分和第三部分构成，所述第一部分和所述第三部分的延伸方向与所述数据线的延伸方向相同，所述第二部分的延伸方向与所述栅极线的延伸方向相同。

8.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一电容由连续的第一部分、第二部分和第三部分构成，所述第一部分和所述第三部分的延伸方向与所述栅极线的延伸方向相同，所述第二部分的延伸方向与所述数据线的延伸方向相同。