[发明专利]一种雪崩光电二极管过压保护方法及装置

权利要求书

1.一种雪崩光电二极管过压保护方法，所述雪崩光电二极管应用于BOB或光模块中，所述方法基于一种雪崩光电二极管升压电路实现，所述雪崩光电二极管升压电路包括：升压芯片、第一电阻、第二电阻、BOSA驱动芯片及所述雪崩光电二极管，所述升压芯片的反馈端通过第一导线与所述BOSA驱动芯片连接，所述升压芯片的输出端通过第二导线与所述雪崩光电二极管连接，所述第一导线上设置有反馈结点，所述第二导线上设置有升压结点，所述第一电阻的一端与所述反馈结点连接，所述第一电阻的另一端接地，所述第二电阻的一端与所述反馈结点连接，所述第二电阻的另一端与所述升压结点连接；其特征在于，所述方法包括：

控制所述雪崩光电二极管或所述BOB中的光网络单元开机初始化，并进入正常工作状态；

在所述BOSA驱动芯片的寄存器预输入用于控制所述雪崩光电二极管电压的寄存器值；

判断所述升压结点的电压与所述雪崩光电二极管的反向击穿电压的大小；

当所述升压结点的电压小于所述雪崩光电二极管的反向击穿电压时，将所述寄存器值写入所述BOSA驱动芯片的寄存器；

将所述寄存器值写入所述BOSA驱动芯片的寄存器后结束本次电压调整过程，以及当所述升压结点的电压大于或等于所述雪崩光电二极管的反向击穿电压时结束本次电压调整过程。

2.如权利要求1所述的雪崩光电二极管过压保护方法，其特征在于，还包括：当所述升压结点的电压大于或等于所述雪崩光电二极管的反向击穿电压时，显示雪崩光电二极管过压信息。

3.如权利要求1或2所述的雪崩光电二极管过压保护方法，其特征在于，所述判断所述升压结点的电压与所述雪崩光电二极管的反向击穿电压的大小，包括：

获取所述雪崩光电二极管的反向击穿电压V_br、所述第一电阻的阻值R_down、所述第二电阻的阻值R_up、单位寄存器对应的单位电流或电压值reg₀、所述升压芯片的反馈电压ref及所述寄存器值DAC_APD；

根据公式V_out＝DAC_APD×reg₀×R_up+ref×(1+R_up/R_down)计算所述升压结点的电压V_out；

判断所述升压结点的电压V_out与所述雪崩光电二极管的反向击穿电压V_br的大小。

4.一种雪崩光电二极管过压保护装置，所述雪崩光电二极管应用于BOB或光模块中，所述装置基于一种雪崩光电二极管升压电路实现，所述雪崩光电二极管升压电路包括：升压芯片、第一电阻、第二电阻、BOSA驱动芯片及所述雪崩光电二极管，所述升压芯片的反馈端通过第一导线与所述BOSA驱动芯片连接，所述升压芯片的输出端通过第二导线与所述雪崩光电二极管连接，所述第一导线上设置有反馈结点，所述第二导线上设置有升压结点，所述第一电阻的一端与所述反馈结点连接，所述第一电阻的另一端接地，所述第二电阻的一端与所述反馈结点连接，所述第二电阻的另一端与所述升压结点连接；其特征在于，所述装置包括：

初始化模块，用于控制所述雪崩光电二极管或所述BOB中的光网络单元开机初始化，并进入正常工作状态；

数据输入模块，用于在所述BOSA驱动芯片的寄存器预输入用于控制所述雪崩光电二极管电压的寄存器值；

判断模块，用于判断所述升压结点的电压与所述雪崩光电二极管的反向击穿电压的大小；

进程执行模块，用于从所述判断模块获取判断结果，当所述升压结点的电压小于所述雪崩光电二极管的反向击穿电压时，将所述寄存器值写入所述BOSA驱动芯片的寄存器；

结束模块，用于将所述寄存器值写入所述BOSA驱动芯片的寄存器后结束本次电压调整过程，以及当所述升压结点的电压大于或等于所述雪崩光电二极管的反向击穿电压时结束本次电压调整过程。

5.如权利要求4所述的雪崩光电二极管过压保护装置，其特征在于，还包括：

显示模块，用于当所述升压结点的电压大于或等于所述雪崩光电二极管的反向击穿电压时，显示雪崩光电二极管过压报警信息。

6.如权利要求4或5所述的过压保护装置，其特征在于，所述判断模块包括：

获取节点，用于获取所述雪崩光电二极管的反向击穿电压V_br、所述第一电阻的阻值R_down、所述第二电阻的阻值R_up、单位寄存器对应的单位电流或电压值reg₀、所述升压芯片的反馈电压ref及所述寄存器值DAC_APD；

计算节点，用于从所述获取节点获取计算所需数据，并根据公式V_out＝DAC_APD×reg₀×R_up+ref×(1+R_up/R_down)计算所述升压结点的电压V_out；

比较节点，用于从所述获取节点获取所述雪崩光电二极管的反向击穿电压V_br，从所述计算节点获取所述升压结点的电压V_out，比较所述升压结点的电压V_out与所述雪崩光电二极管的反向击穿电压V_br的大小。