[发明专利]一种单晶炉引晶埚位的确定方法有效

专利信息
申请号: 201510387092.8 申请日: 2015-07-06
公开(公告)号: CN104947180B 公开(公告)日: 2017-08-11
发明(设计)人: 刘要普;史舸;令狐铁兵;王新;李京涛;李中军 申请(专利权)人: 麦斯克电子材料有限公司
主分类号: C30B15/20 分类号: C30B15/20;C30B29/06
代理公司: 洛阳公信知识产权事务所(普通合伙)41120 代理人: 罗民健
地址: 471000 河南省洛阳*** 国省代码: 河南;41
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摘要:
搜索关键词: 一种 单晶炉引晶埚位 确定 方法
【权利要求书】:

1.一种单晶炉引晶埚位的确定方法,所述单晶炉引晶动作包括两部分,一部分为下轴通过其顶部设置的石墨坩埚带动装有多晶硅的石英坩埚上下运动,且石英坩埚设置在石墨坩埚内,另一部分为上轴通过其底部设置的籽晶卡头带动籽晶的上下运动,其特征在于,确定引晶埚位的方法如下:

1)确定石墨坩埚的内径,圆盘的外径比石墨坩埚上口的内径小2mm,确定圆盘的外径尺寸为d;

2)制作一外径尺寸为d的圆盘;

3)然后将制作好的圆盘水平放置于石墨坩埚中,圆盘放置于石墨坩埚的弧度r处,关闭单晶炉;

4)上升下轴,使其带动石墨坩埚上升,直至圆盘上表面与热屏下沿接触,记录此位置后,下降下轴20mm,并测量确认热屏下沿与圆盘上表面的距离为20mm;

5)下降上轴,直至籽晶刚好接触圆盘上表面,记录上轴的下降行程位置S;

在下降上轴过程中,从单晶炉前窥视孔观察炉内籽晶的位置,下降上轴时,刚开始快速下降籽晶,在快要接近圆盘时以1mm/min的速度缓慢下降籽晶,待籽晶刚好接触圆盘上表面时停止下降上轴;

6)从石墨坩埚中取出圆盘,然后将装有多晶硅料的石英坩埚装入石墨坩埚中,加热熔化多晶硅,待多晶硅液的液面稳定后,下降上轴至步骤5)中记录的上轴下降行程位置S;

7)以1mm/min的上升速度上升下轴,使多晶硅液的液面刚好接触籽晶,记录此时石英坩埚和石墨坩埚的位置,此位置即为液面距热屏下沿20mm的引晶埚位,可依照此位置持续生产。

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